高学飞
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京工业大学应用数理学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 磁控溅射技术制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其微结构
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪对薄膜进行表征分析。结果表明,退火温度高于450℃制备的样品出现了3个明显峰位28.52°,47.48°和56.20°,分别对应Cu2ZnSnS4(112)、(220)和(312)晶面,而且随着退火温度的升高样品在(112)方向择优取向生长。根据谢乐公式计算晶粒尺寸表明,随着退火温度升高,晶粒尺寸变大,薄膜质量改善。EDS分析显示,薄膜组分为贫Cu富Zn,制备的薄膜较为纯净。
- 高学飞邓金祥孔乐崔敏陈亮
- 关键词：射频磁控溅射硫化微结构
- 基于Rubrene:C60有机小分子太阳能电池的真空蒸镀制备及其特性研究
- 采用真空蒸镀法在有机真空系统中制备了基于Rubrene: C60的有机小分子太阳能电池p-i-n 结构[1]器件 ITO(180nm)/PEDOT∶PSS(40nm)/Rub(15nm)/Rub∶C60(60nm)/C6...
- 陈亮邓金祥孔乐崔敏高学飞
- 银纳米颗粒薄膜的磁控溅射法制备及表面等离子共振特性研究
- 银纳米粒子具有独特的光、电和催化性质,使其在材料科学、生物物理、分子电子学以及基于表面增强效应的荧光工程学领域具有极其广泛的应用前景。本文采用射频磁控溅射技术,在石英和硅衬底上制备一系列银纳米颗粒薄膜。通过原子力显微镜(...
- 陈亮邓金祥孔乐崔敏高学飞
- 文献传递
- 磁控溅射技术制备Cu2ZnSnS4薄膜及其微结构
- 采用射频磁控溅射技术溅射CuS、ZnS、SnS2混合靶材,在玻璃衬底上沉积前驱体,然后硫化退火制备Cu2 ZnSnS4(CZTS)薄膜,通过EDS能量色谱仪、X射线衍射仪对薄膜进行表征分析.结果表明,退火温度高于450℃...
- 高学飞邓金祥孔乐崔敏陈亮
- 关键词：射频磁控溅射硫化微结构
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量：2
- 2014年
- 射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭
- 关键词：A-SI椭圆偏振光谱光学参数工作气压
- 磁控溅射技术制备Cu2ZnSnS4薄膜及其光学表征
- 高学飞邓金祥孔乐崔敏陈亮
- 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：1
- 2014年
- 在不同的衬底温度下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品.用X射线衍射仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析.薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200?C时薄膜的结晶性最好.用椭偏仪测试样品,建立物理模型计算出氮化锌薄膜在430—850 nm范围内的折射率和消光系数等光学参数.利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73—1.79 eV之间.
- 陈仁刚邓金祥陈亮孔乐崔敏高学飞庞天奇苗一鸣
- 关键词：X射线衍射椭偏光谱光学参数
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种优异的光电功能材料,具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限、与硅半导体工艺兼容等突出优点,在太阳能电池、薄膜晶体管、液晶显示和光电探测等领域有着广泛的应...
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞王旭
- 关键词：氢化非晶硅薄膜A-SI:H椭圆偏振光谱光学参数
- 文献传递
