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陈亮

作品数:87 被引量:61H指数:4
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

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作者

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  • 9篇2012
  • 6篇2011
  • 8篇2010
  • 2篇2005
  • 1篇2004
87 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析被引量:5
2010年
提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性。考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型。以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布。与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K~8 K下降为1.5 K~3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀。
胡宁张万荣谢红云金冬月陈亮沈珮黄璐黄毅文王扬
关键词:异质结双极晶体管有限元方法热模拟
一种应用于双向公路中间车道的无线充电车道控制系统
本发明公开了一种应用于双向公路中间车道的无线充电车道控制系统,包括:检测模块、控制模块和执行模块;检测模块用于道路交通状态信息以及车辆电池的剩余电量信息,构建电动汽车跟驰模型和电动汽车换道模型,完成交通流动态的模拟;控制...
张健白岩珍妮王新克何佳陈亮
氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量:2
2014年
射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。
崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭
关键词:A-SI椭圆偏振光谱光学参数工作气压
基于Rubrene:MoO<Sub>3</Sub>混合薄膜的红外探测器
本发明涉及一种基于Rubrene:MoO<Sub>3</Sub>混合薄膜的红外探测器的制备。主要包括衬底的清洗、薄膜的制备、薄膜的测试、探测器的制备以及探测器性能的测试。首先依次在甲苯、丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗...
邓金祥李瑞东陈亮
文献传递
基于面向对象的视频系统建模研究被引量:1
2005年
针对移动信道的长突发误码特性,提出采用组合随机数发生器法来产生(0,1)均匀分布随机数,由它产生信道差错序列,并建立一个具有一定精度的一阶三状态Markov仿真信道模型,在此基础上应用面向对象技术构建了一个无线视频传输系统模型。通过仿真实验表明模型构建具有高度的可扩展性,系统仿真具有较高的精度,且能较好的反映移动信道的特性。
陈亮张延华孙居颖卓力沈兰荪
关键词:面向对象MARKOV模型视频传输
用于改善多指SiGe HBT热特性的变指间距设计方法研究
2011年
通过引入表示发射指之间热耦合程度的耦合热阻,建立了多指异质结双极晶体管(HBT)热阻模型。基于该模型,得到了耦合热阻与指间距的变化关系,并用于器件指间距的设计。当耦合热阻均匀分布时,所对应的一套非等值的指间距值便是器件温度均匀分布所要求的指间距值。用该方法得到热阻分布与热模拟得到的温度分布相吻合。但这种方法不必通过热模拟来得到温度分布均匀的SiGe HBT各指问距值,具有快速、直观的优点,为变指间距的设计提供了方便。
肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿丁春宝
关键词:SIGEHBT热阻
药监局行政许可管理信息系统的设计与实现
国家药品食品监督管理局在十一五期间规划了“3511”工程,行政许可管理信息系统是其中的重要系统之一,它是将行政许可的制度规范(组织、流程、责任等)转换为信息系统的审批流程、规则和控制程序,实现程序化审批和自动化监管,避免...
陈亮
关键词:行政许可管理信息系统软件开发数据库设计电子政务
南京卷烟厂应用系统数据备份方案设计与实现
南京卷烟厂作为全国烟草行业的重点企业,企业已经具备了领先世界水平的生产设备和生产线。信息化经过多年的建设和发展,在企业管理、市场营销、生产经营、底层自动化控制等方面的信息系统已经得到广泛应用。信息化的发展在企业发展中发挥...
陈亮
关键词:存储设备应用系统烟草行业数据安全
文献传递
光窗口对SiGe/Si异质结光电晶体管光响应的影响被引量:1
2020年
分析了不同光窗口位置和不同光窗口面积对SiGe/Si异质结光电晶体管(HPT)光响应特性的影响.光窗口位于发射区时,HPTs吸收路径长,会产生较多的光生载流子,在发射结界面产生较大的发射结光生电压,有利于发射结的电子注入,因此获得较大的集电极输出电流和光增益.当入射光波长为650 nm,集电极电压为2.0 V,光窗口面积为10μm×10μm时,SiGe/SiHPT的光增益最大可以达到9.24.光窗口位于基区时,在较大的入射光功率下,HPTs吸收区的光生载流子密度大,光生空穴发生快速驰豫的可能性增加,一定程度上缓解了空穴迁移率低对器件工作速度的限制,提高了光特征频率.当入射光波长650 nm,集电极电压2.0 V,光窗口面积为10μm×10μm时,SiGe/SiHPT的光特征频率可达16.75 GHz.对于能够获得更高光增益光特征频率优值的发射区光窗口SiGe/SiHPTs,当光窗口面积从3μm×10μm到50μm×10μm逐渐增加时,电子在发射结界面的有效注入面积增加从而光增益逐渐增大;同时发射结和集电结的结电容也随之增大,RC延迟时间增长,光特征频率却逐渐减小.光增益·光特征频率优值随着光窗口面积的增加而逐渐提高,但随着面积的增加,光增益·光特征频率优值提高的速率变慢,并有逐渐趋于饱和的趋势.
马佩谢红云沙印向洋陈亮郭敏刘先程张万荣
关键词:光增益
一种生长钙钛矿薄膜的方法
一种生长钙钛矿薄膜的方法,属于功能薄膜制备领域。升华PbI<Sub>2</Sub>材料,终端设置合适的PbI<Sub>2</Sub>生长温度。PbI<Sub>2</Sub>沉积完成后,该区加热源迅速降温。升华CH<Sub...
邓金祥李瑞东陈亮
文献传递
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