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谢红云

作品数:191 被引量:142H指数:5
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 90篇专利
  • 87篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 115篇电子电信
  • 8篇文化科学
  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 59篇放大器
  • 58篇晶体管
  • 53篇有源
  • 50篇有源电感
  • 42篇电感
  • 39篇低噪
  • 39篇低噪声
  • 39篇低噪声放大器
  • 34篇异质结
  • 33篇SIGE_H...
  • 24篇跨导
  • 22篇增益
  • 21篇异质结双极晶...
  • 21篇双极晶体管
  • 21篇高Q值
  • 18篇频带
  • 18篇宽带
  • 17篇激光
  • 17篇激光器
  • 15篇宽带低噪声

机构

  • 171篇北京工业大学
  • 15篇中国科学院
  • 8篇河北工业大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇南洋理工大学
  • 1篇泰山学院
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 191篇谢红云
  • 119篇金冬月
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  • 11篇付强
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传媒

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  • 2篇电子世界
  • 2篇中国激光
  • 2篇高技术通讯
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电子学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇电脑知识与技...
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年份

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  • 10篇2012
  • 13篇2011
  • 8篇2010
  • 6篇2009
  • 9篇2008
  • 17篇2007
  • 10篇2006
  • 2篇2005
191 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感
高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域,包括:第一跨导单元(1),带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元(2),带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3),以及带有二个偏压...
张万荣李祎康谢红云金冬月那伟聪
文献传递
一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感
本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括:第一跨导单元,第二跨导单元,频带拓展单元,可调分流单元,反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能,反馈单元与第一跨导...
张万荣杨鑫谢红云金冬月徐曙张崟张昭
文献传递
射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化被引量:1
2008年
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率.
金冬月张万荣谢红云沈珮王扬
关键词:异质结双极晶体管热稳定镇流电阻
一种射频压控有源电感
一种射频压控有源电感涉及集成电路领域,包括:第一跨导单元(1),第二跨导单元(2),第三跨导单元(3),第四跨导单元(4),有源反馈电阻单元(5),第一偏置单元(6),第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元...
张万荣张昭谢红云金冬月张思佳万禾湛王飞虎
一种具有光子晶体结构的侧面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制备方法
一种具有光子晶体结构的侧面入射的SOI基Si/SiGe HPT的制备方法,属于半导体技术领域,制备方法包括:在SOI衬底上制备SOI基Si/SiGe HPT外延材料,制备光子晶体结构,刻蚀形成基区、集电区台面,外延钝化层...
谢红云刘先程向洋郭敏沙印张万荣
单载流子传输双异质结光敏晶体管频率特性分析(邀请论文)被引量:1
2015年
为了缓解光敏晶体管探测器在响应度和响应速度优化时存在的矛盾并提高响应度和响应速度,分析了单载流子传输(uni—travelling—carrier,UTC)双异质结光敏晶体管(double hetero-junction phototransistor,DHPT)中光生载流子对发射结结电容和集电结结电容的影响,建立了UTC—DHPT的频率特性模型.基于所建模型,研究了UTC—DHPT在电学晶体管工作状态(double hetero-junction transistor,DHBT)、基极光偏置的二端工作模式(two terminal,2T)和基极光电混合偏置的三端工作模式(three terminal,3T)的光电流增益和光学特征频率.结果表明:UTC—DHPT比传统的单异质结光敏晶体管(single hetero-junction phototransistor,SHPT)有更好的频率特性,3T工作模式下的UTC—DHPT可以同时提供高响应度和高响应速度.
谢红云孙丹张良浩江之韵刘硕张万荣
关键词:光敏晶体管高频特性
新型3.1~6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量:1
2010年
在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1~6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5~2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定.
沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈
关键词:低噪声放大器超宽带电流增益
集成电路设计大赛与实践能力培养
2015年
对于高校微电子集成电路的教师和学生来说,集成电路设计大赛提供了理论与实践结合的最好机会。通过教师指导和学生参与,学生完成电路设计、版图设计和性能验证,经历单片集成电路设计的完整流程。学生能够将掌握的理论知识和芯片版图设计及验证结合在一起,拓展了他们的能力和知识面;培养了注重细节,严谨认真的科研态度,切忌好高骛远;锻炼了团队合作的能力;增加了在学习和工作中的自信心。
谢红云张万荣侯立刚金冬月
关键词:集成电路设计大赛教学
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
关键词:锗硅异质结双极晶体管
文献传递
大功率半导体激光器阵列稳态温度分布分析被引量:7
2003年
通过对大功率激光器阵列热现象的分析 ,采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型 ,给出了具体的温度分布曲线 ,由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向有一定的温度差 .该模型给出的载体、芯片的温度分布 ,可以指导阵列载体、散热器的设计 ,优化它们的尺寸 .样品的实验数据与模型的理论预测结果吻和得很好 .
谢红云陈国鹰安振峰辛国锋康志龙
关键词:大功率激光器阵列热模型温度分布
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