乔永平
- 作品数：27 被引量：23H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 氧化多孔硅和含纳米硅中锗的氧化硅发光
- 秦国刚马振昌张伯蕊付济时秦国毅乔永平段家宗婉华尤力平毛晋昌姚光庆张丽珠
- 该项目为研制出波长为340毫米的强紫外光多孔硅，是已报导的发光波长最短的多孔硅。项目提出光激发生在纳米硅中，而光发射发生在纳米硅外氧化硅层中或纳米硅/氧化硅界面处的发光中心（杂质和缺陷）上；不同发光带来自不同的发光中心，...
- 关键词：
- 关键词：多孔硅氧化硅纳米硅
- 一种顶出光电极及其制备方法
- 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素...
- 秦国刚马国立冉广照徐爱国乔永平
- 文献传递
- 一种顶出光电极及其制备方法
- 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有厚度为5—40nm的稀土元素层，在所述稀土元素层上设有厚度为10—15nm的Au层。本发明用低功稀土...
- 秦国刚马国立徐爱国乔永平冉广照张伯蕊陈娓兮
- 文献传递
- 顶出光电极及其制备方法
- 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层，所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100％至0％。本...
- 冉广照马国立秦国刚乔永平徐爱国
- 文献传递
- 固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
- 2000年
- 在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它们的电流都是温度倒数的指数函数 ,从中确定了它们的有效势垒高度分别为 0 .784eV和0 .5 31eV。深能级瞬态谱 (DLTS)和C -t测量发现在C70 GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0 .6 40eV)和一个空穴陷阱H3(0 .82 2eV) ,以及在近界面的固体C70 中存在两个空穴陷阱H4 (1 .1 5 5eV)和H5(0 .85 6eV)。
- 陈开茅孙文红武兰青张伯蕊吴恩孙允希乔永平
- 关键词：GAAS界面态
- 固体C<,70>薄膜相变
- 固体C<,70>(或C<,60>)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP...
- 陈开茅冉广照陈源付济时张伯蕊朱美栋乔永平武兰青
- 关键词：相变异质结
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- 一种有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n<Sup>+</Sup>-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心...
- 秦国刚李延钊冉广照乔永平
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- 零偏退火与反偏退火对含氢的Au／n－Si肖特基势垒的控制
- 1994年
- 〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制，即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低，而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高；而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。在反偏退火以后，含氢的肖特基势垒的高度升高的数值不仅与退火时所应用的偏置电压有关，而且与退火温度也有关。
- 元民华乔永平宋海智金泗轩秦国刚
- 关键词：肖特基势垒氢
- 一种顶出光电极及其制备方法
- 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，其中，有机发光层上设有稀土元素层，在稀土元素层上还设有该稀土元素与Au或Ag的复合层。本发明用低功稀土元素/低功稀土元素...
- 秦国刚马国立冉广照徐爱国乔永平
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- 采用单根CdS 纳米带/线制备的耗尽型/增强型场效应晶体管
- 研制了单根CdS纳米带/线金属-半导体场效应晶体管(MESFETs)。单根CdS纳 米带MESFETs表现为n沟道耗尽型(常开型)。具有低阈值电压(～-1.56 V), 高跨导 (～3.5 μS), 低亚阈值摆幅(～45...
- 乔永平马仁敏杨卫全戴伦秦国刚徐万劲
