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伍叶龙

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇第一性原理
  • 3篇纳米
  • 3篇ALN
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏性
  • 2篇气敏性能
  • 2篇热合成
  • 2篇纳米棒
  • 2篇结合水
  • 2篇晶面
  • 2篇刻蚀
  • 2篇半导体
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米棒
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电性能

机构

  • 8篇西安交通大学

作者

  • 8篇伍叶龙
  • 7篇陈光德
  • 5篇耶红刚
  • 3篇竹有章
  • 2篇段向阳
  • 2篇裴东泽
  • 1篇杨建清
  • 1篇宋佳明
  • 1篇牛海波
  • 1篇颜国君

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法
本发明公开了一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法,结合水热合成技术和高温选择性刻蚀技术制备波纹状ZnO纳米棒。首先在反应釜中合成六棱柱状ZnO纳米棒,离心清洗提纯后取其粉末放入反应炉中,在650~950℃之间保温刻蚀5~3...
伍叶龙裴东泽陈光德段向阳郭路安耶红刚竹有章
一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法
本发明公开了一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法,结合水热合成技术和高温选择性刻蚀技术制备波纹状ZnO纳米棒。首先在反应釜中合成六棱柱状ZnO纳米棒,离心清洗提纯后取其粉末放入反应炉中,在650~950℃之间保温刻蚀5~3...
伍叶龙裴东泽陈光德段向阳郭路安耶红刚竹有章
文献传递
双折射吸收非线性介质薄膜中倍频的产生被引量:1
2008年
从二次谐波电场满足的波动方程出发,考虑到介质对二次谐波的吸收以及把完全边界条件应用于基频波和二次谐波在介质的入射面和出射面之间的反射效应,推导出了单光轴非线性薄膜介质中的二次谐波输出功率的计算式.结果表明:当采用复折射率的概念时,可以把非线性无吸收介质的二次谐波输出功率计算式应用到非线性吸收介质二次谐波输出功率计算式中去.
颜国君陈光德伍叶龙杨建清
关键词:非线性倍频
氧在AlN非极性面的吸附结构与电子性质
采用第一性原理计算的方法研究了氧在铅锌矿AlN(10-10)和(11-20)面的吸附结构与电子性质.发现氧原子吸附要比分子吸附在能量上更为稳定,而且O2在靠近表面的过程中能都自动分解,因此发生分子吸附的可能性很小。由于氧...
耶红刚陈光德伍叶龙
关键词:ALN第一性原理计算
文献传递
空位对纤锌矿型AlN自发极化影响的最大局域化Wannier函数方法研究
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿型AlN中引入不同电荷态的N空位和Al空位时结构中最大局域化Wannier函数,并根据Wannier函数的空间分布及空间分布的几何中心位置,对空位引起的晶体电子结构变化及[0001],[ˉ1010],[ˉ12ˉ10]晶向上的自发极化进行了研究.结果表明,利用最大局域化Wannier函数分析电子结构具有直观的特点,清晰地表明N—Al键具有较强的离子性.研究发现,N空位结构中悬挂键上电荷向空位处转移,而Al空位结构中悬挂键上电荷则远离空位,沿悬挂键方向移动到N原子一侧.同时发现,空位的引入破坏了[ˉ1010],[ˉ12ˉ10]晶向上的中心对称结构,产生了极化,且极化强度随着空位电荷态的增加而增大.在[0001]晶向上,随着N空位电荷态的增加,空位周围电子结构发生了剧烈变化,使得自发极化发生了逆转,极化强度随着电荷态的增加而增大;而在Al空位中,随着电荷态的增加,自发极化沿原方向显著增加,但没有发生极化反转.
牛海波陈光德伍叶龙耶红刚
关键词:空位自发极化第一性原理
CdTe多晶薄膜中的位错和晶界及其对光电性能的影响研究
伍叶龙陈光德
AlN 半导体纳米线的第一性原理研究
伍叶龙
关键词:氮化铝纳米线第一性原理结构相变
GaN/AlN半导体异质结带阶超原胞法计算
2009年
为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现GaN/AlN为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62eV,与实验值很接近.通过使用常用的平均键能法、平均势法和芯态法三种近似方法对GaN/AlN带阶的计算,比较得出,超原胞法虽然计算量较大,但能够给出异质结界面附近更为详细的信息,这一点其他三种近似方法无法得到,但他们也能够得出与实验值基本一致的带阶参量.
宋佳明陈光德耶红刚竹有章伍叶龙
关键词:第一性原理
共1页<1>
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