耶红刚
- 作品数：23 被引量：56H指数：4
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高温超导磁轴承应用研究及其复合型发展趋势
- 第二类高温超导体具有磁通钉扎性，永磁体位于其附近时可以无需主动控制而稳定悬浮，这种特性被称为无源自稳定性。高温超导磁轴承(SMB)就是此特性的重要应用之一，它可实现部件间无主动控制的高速无摩擦磨损运转，因而在飞轮储能、轨...
- 闫岗竹有章耶红刚袁小阳
- 纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算
- 2014年
- 以现代极化理论为基础,通过构建一种结构简单、直观的计算模型,分别采用Berry phase和最大局域化Wannier函数方法并结合第一性原理,计算了纤锌矿结构的ZnO、AlN及GaN半导体的自发极化及压电系数,研究了自发极化与晶体结构之间的关系.计算结果与已有报道结果吻合较好.结果表明:AlN的自发极化及压电系数在三种半导体中最大,其自发极化超过另外两种半导体的两倍.发现最大局域化Wannier函数方法与Berry phase方法相比,由于产生了Wannier中心,因此在分析自发极化、电子结构及原子成键上具有独特的优势,能给出更清晰的物理图像.
- 牛海波陈光德耶红刚
- 关键词：自发极化压电系数纤锌矿结构
- β12硼烯纳米带的结构和电子性质被引量：1
- 2019年
- 采用第一性原理计算考察β12硼烯纳米带(BNRs)的结构和电子性质.结果表明:不同宽度、不同切割方向的BNRs均具有金属性,且BNRs的稳定性随宽度的增加而增加;用H原子钝化BNRs边界顶点的B原子,多数BNRs呈金属性,少数BNRs呈半导体性.
- 邵立段向阳李艳丁佩耶红刚
- 关键词：第一性原理
- 六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413nm和422nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显的红移现象,其中心波长随温度线性变化.理论和实验分析表明,413nm辐射与AlN本身性质无关,而422nm辐射峰是与A1有关的两种本征缺陷所致.
- 吕惠民陈光德耶红刚颜国君谷力郭金仓孙帅涛
- 关键词：光致发光谱本征缺陷
- 一种凸凹透镜焦距测量的装置与方法
- 本发明提供了一种凸凹透镜焦距测量的装置与方法，包括光学导轨、激光光源、短焦距凸透镜、待测透镜、连接体、毛玻璃以及像屏；光学导轨上设置固定架，激光光源、短焦距凸透镜、待测透镜、白屏、毛玻璃以及像屏设置在固定架上；短焦距凸透...
- 冯雪红张沛高宏高博徐忠锋赵永涛耶红刚
- 一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法
- 本发明公开了一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法，结合水热合成技术和高温选择性刻蚀技术制备波纹状ZnO纳米棒。首先在反应釜中合成六棱柱状ZnO纳米棒，离心清洗提纯后取其粉末放入反应炉中，在650～950℃之间保温刻蚀5～3...
- 伍叶龙裴东泽陈光德段向阳郭路安耶红刚竹有章
- 一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法
- 本发明公开了一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法，结合水热合成技术和高温选择性刻蚀技术制备波纹状ZnO纳米棒。首先在反应釜中合成六棱柱状ZnO纳米棒，离心清洗提纯后取其粉末放入反应炉中，在650～950℃之间保温刻蚀5～3...
- 伍叶龙裴东泽陈光德段向阳郭路安耶红刚竹有章
- 文献传递
- 六方AlN本征缺陷的第一性原理研究被引量：17
- 2007年
- 用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深,要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助.
- 耶红刚陈光德竹有章张俊武
- 关键词：形成能态密度
- 氧在AlN非极性面的吸附结构与电子性质
- 采用第一性原理计算的方法研究了氧在铅锌矿AlN(10-10)和(11-20)面的吸附结构与电子性质.发现氧原子吸附要比分子吸附在能量上更为稳定,而且O2在靠近表面的过程中能都自动分解,因此发生分子吸附的可能性很小。由于氧...
- 耶红刚陈光德伍叶龙
- 关键词：ALN第一性原理计算
- 文献传递
- 几种元素掺杂二维MgCl_(2)单层的第一性原理计算
- 2024年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对H,F,Al,K,Zn掺杂二维MgCl_(2)单层材料的几何结构和电子性质进行研究.结果表明:几种掺杂体系的晶体结构均有不同程度变化;由于H,Al,Zn的s态电子影响,这3种元素掺杂的MgCl_(2)在禁带中明显出现杂质能级,F和K掺杂体系的杂质能级出现在价带顶,与本征MgCl_(2)材料的5.996 eV带隙相比,H,F,Al,K,Zn掺杂体系的禁带宽度分别减小至5.665,5.903,4.409,5.802,5.199 eV;5种掺杂体系杂质原子周围的电荷均重新分布;电荷转移情况与差分电荷密度结果一致;与本征MgCl_(2)的功函数8.250 eV相比,H,F,Al,K,Zn掺杂体系的功函数分别减小至7.629,7.990,3.597,7.685,7.784 eV.
- 门彩瑞邵立何渊淘李艳耶红刚
- 关键词：密度泛函理论禁带掺杂功函数
