何小玲
- 作品数：21 被引量：30H指数：3
- 供职机构：桂林矿产地质研究院更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金科研院所技术开发研究专项资金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电气工程电子电信更多>>
- 掺镓氧化锌晶体的制备方法
- 本发明公开了一种掺镓氧化锌晶体的制备方法，它是在高压釜中，以氟化物水溶液为矿化剂生长掺镓氧化锌晶体的方法。具体是将含有镓的氧化锌培养料置于黄金衬套管底部，向黄金衬套管中加入一定量氟离子浓度为3～6mol/L的氟化物水溶液...
- 左艳彬卢福华张昌龙覃世杰李东平何小玲王金亮周海涛周卫宁张海霞
- 文献传递
- 基于水热法生长的硅酸铋晶体光学电压传感器被引量：9
- 2014年
- 提出一种基于水热法生长的硅酸铋（BSO,Bi12SiO20）晶体型光学电压传感器,其 电压传感单元主要包括一块BSO晶体和两个偏振器,不需要附加1/4波片。实验结果表明 ,所用BSO晶体样品 具有显著的线性电光效应,可以用于测量交流电压；通过合理利用BSO晶体自身自然旋光性,可以使其电 压单调及线性测量范围均大于以往基于无自然旋光性晶体的电压传感器。实验所用BSO 晶体的自然旋光角度约为132°。实验数据表明,在电光相位延迟的 峰-峰值为2π范围以内, 传感器输出电压仍然能够随被测电压单调地变化。在被测工频电压有效值为108～1300V范围内,实验测量了传感器输出电压随被测电压变化的非 线性响应特性； 在利用应力双折射产生的相位延迟提供光学偏置的条件下,在一定电压范围内,可以实现工 频交流电压的线性测量,相应的电压测量灵敏度约为0.027mV/V,非线性误差小于3.1%。
- 李长胜曾张何小玲
- 关键词：光学电压传感器电光调制
- 氧化锌晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种掺钪的氧化锌(Sc:ZnO)晶体，本发明还涉及掺钪的氧化锌(Sc:ZnO)晶体的制备方法。本发明是在制备ZnO晶体时掺入少量的钪元素(Sc)，从而有效地提高m面的生长速度，为快速生长大尺寸ZnO晶体提供可能...
- 张昌龙左艳彬周卫宁吕智霍汉德卢福华覃世杰张海霞李东平何小玲
- 文献传递
- Bi_(12)SiO_(20):Cr晶体中Cr离子的氧化态及占位研究
- 2014年
- 采用温差水热法,以NaOH溶液为矿化剂,以Cr2O3为掺杂剂进行了BSO:Cr晶体的生长。与纯BSO晶体相比,掺Cr明显降低了BSO晶体的透过率且紫外截止波长发生了红移,研究还发现水热法生长的BSO:Cr晶体存在三个氧化态:Cr4+,Cr3+和Cr2+,根据配位数与多面体之间的理论关系认为Cr4+取代Si位,Cr3+和Cr2+取代Bi位。
- 何小玲霍汉德王金亮吴文渊
- 关键词：水热法氧化态占位
- 水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展
- 2015年
- 罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。
- 王金亮任孟德左艳彬何小玲张昌龙
- 关键词：人工晶体氧化锌宽禁带水热法
- 一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法
- 本发明涉及一种水热法生长硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>，简称BSO)晶体的方法。其特点是采用氟化物矿化剂体系进行晶体生长。采用BSO原料作培养料，置于黄金衬套管底部，在黄金衬套管的...
- 何小玲张昌龙王金亮霍汉德周海涛覃世杰张海霞
- 文献传递
- 氨热法生长氮化镓体单晶的工艺与设备被引量：1
- 2013年
- 由于大尺寸氮化镓单晶难以获得,只能用异质衬底来制作氮化镓器件,因此现在的氮化镓基器件的性能指标还远低于其理论值。氢化物外延法、高压熔体法、助熔剂法和氨热法等许多方法已经用做生长氮化镓大尺寸单晶。其中,氨热法易于实现尺寸扩大,有批量化生产低成本氮化镓晶片的潜力。目前有两个问题仍有待解决。首先是设备,如何增大高压釜口径为液氨溶液提供可靠的设备;第二个是生长工艺,如何以较低的成本得到大面积,低缺陷密度的氮化镓。本文简单综述了氨热法生长大尺寸氮化镓晶体进展。主要内容是关注氨热法的设备和生长工艺。最后探讨了氨热法合成氮化镓单晶的发展前景。
- 周海涛李东平何小玲张昌龙
- 关键词：氮化镓
- 水热法生长晶体新进展被引量：10
- 2012年
- 本文评述了桂林矿产地质研究院在水热法生长功能晶体方面取得的一些新进展,重点介绍了KTP、ZnO、BSO、KBBF、RBBF等功能晶体的研究工作,指出了在水热法生长上述晶体时存在的问题并给出了解决办法。
- 张昌龙左艳彬何小玲周海涛王金亮霍汉德卢福华
- 关键词：水热法晶体生长
- Bi_4Si_3O_(12)晶体的水热法生长研究
- 2015年
- 采用水热法,以固相烧结的化学计量比（2Bi2O3∶3SiO2）的玻璃态Bi4Si3O12做培养料,以Na OH溶液为矿化剂,研究了在水热体系下形成Bi4Si3O12晶体的相区。结果发现,在生长温度为380~500℃,矿化剂浓度为1.5~4 mol/L时,自发成核生成的晶粒均为Bi4Si3O12和Bi12SiO20两种物相。通过在矿化剂溶液中外加一定量的SiO2,得到完全纯相的Bi4Si3O12,并生长出尺寸超过8 mm的Bi4Si3O12单晶。无论在矿化剂溶液中是否添加SiO2,生长的Bi4Si3O12都呈四面体形状,显露面以{112}面族为主,Bi4Si3O12晶体的这一结晶习性能够用周期性键链（PBC）理论予以解释。
- 何小玲周海涛王金亮霍汉德张昌龙左艳彬卢福华
- 关键词：水热法结晶习性
- 水热法BSO晶体微形貌及其成因研究被引量：2
- 2013年
- 晶体宏观形态和表面微形貌特征是晶体生长机制的具体反映,通过对晶体形貌特征的研究,可以探寻晶体生长的规律,为进一步改善晶体的质量打下基础。本文利用双圈反射测角仪、微分干涉显微镜、倒置金相显微镜等测试手段,对两种不同结晶习性的水热法BSO晶体宏观形态和表面微形貌进行了观察和研究,并探讨了水热法生长的BSO晶体{100}、{110}、{211}、{111}等面族的生长形貌形成原因。
- 管晨雪蔡劲宏何小玲周海涛张昌龙
- 关键词：水热法BSO
