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催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线被引量：7: 2005年; 利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在nSi(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线。X射线衍射分析的结果表明,ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征。扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100nm,长度为2～5μm。讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理。; 孙小松余洲王帅杨治美晋勇何毅杨文彬龚敏; 关键词：ZNO纳米线化学气相沉积 XRD SEM

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱: 2006年; 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.; 钟志亲龚敏王鸥余洲杨治美徐士杰陈旭东凌志聪冯汉源BelingCD; 关键词：6H-SIC 辐照

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究: 2006年; 本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。; 杨治美余洲林海王帅钟志亲陈浩武展文孙小松晋勇何毅龚敏; 关键词：纳米氧化锌拉曼光谱荧光光谱

聚合物包覆的氧化锌纳米晶体的制备和表面标定(英文)被引量：2: 2008年; 纳米晶体的性质不仅由表面原子所占的大的组分决定，而且由晶粒表面的晶相结构决定，因此对纳米晶体的表面的晶相结构的了解是很有必要的．氧化锌具有独特的物理和化学性质，所以它被认为是一种比较有应用前景的3维有序组装结构的基本构造单元．利用胶体化学法和尺寸选择制备了4～5nm大小的PVP包覆的氧化锌纳米晶体．用X射线衍射（XRD），高分辨透射电镜（MR-TEM），选区电子衍射（SAED），紫外可见吸收光谱（ABS）和荧光光谱（PL）对氧化锌的晶体结构和表面晶相结构进行表征，发现氧化锌晶体是结晶很好的红锌矿结构并且尺寸是单分散的．XRD，ABS和HR-TEM的测试结果都表明氧化锌晶体的尺寸是4．5nm．用HR-TEM和相应的傅立叶转换（FFT）对氧化锌的形貌和表面晶相进行研究，发现氧化锌晶体具有截角六面体形状，分别被{0001}，{0110}，和{0111}晶面包围．氧化锌的荧光光谱出现了两个典型的荧光发射，位置分别在362nm和527nm，来源于带边发射和缺陷发光．另外在400nm和470nm处也出现了弱的荧光发射，这可能与氧化锌的多面体形貌或者PVP的存在有关．; 陈浩焦志峰伍展文余洲晋勇李智伟宋华冰何毅孙小松; 关键词：氧化锌纳米晶体荧光光谱自组装

自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量：5: 2009年; 用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。; 李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松; 关键词：多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理

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余洲