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单建安

作品数：17 被引量：6H指数：1
供职机构：香港科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇单片
  • 4篇导电
  • 3篇绕组
  • 3篇芯片
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体
  • 3篇场效应
  • 2篇单片集成
  • 2篇倒装芯片
  • 2篇电感
  • 2篇电感器
  • 2篇电感值
  • 2篇电路
  • 2篇有源
  • 2篇有源器件
  • 2篇栅介质
  • 2篇照明
  • 2篇照明器
  • 2篇照明器件
  • 2篇通孔

机构

  • 14篇香港科技大学
  • 7篇西安交通大学
  • 2篇香港城市大学
  • 1篇香港理工大学

作者

  • 17篇单建安
  • 6篇朱长纯
  • 3篇方向明
  • 3篇伍荣翔
  • 2篇袁寿财
  • 2篇许树源
  • 2篇周贤达
  • 2篇俞捷
  • 1篇于丽娟
  • 1篇李天英
  • 1篇陈宁
  • 1篇张声良
  • 1篇皇甫鲁江
  • 1篇淮永进
  • 1篇薛耀国
  • 1篇铁执玲
  • 1篇高玉民
  • 1篇郭彩林
  • 1篇邓宁

传媒

  • 3篇电子学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇西北建筑工程...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1996
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
真空微电子平板显示器工艺研究被引量：4
1996年
本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。
皇甫鲁江朱长纯淮永进铁执玲单建安郭彩林
关键词：场致发射平板显示器真空微电子器件
单片磁感应器件
本发明提供了一种具有低直流阻抗和小面积的单片磁感应器件。通过示例的方式，磁感应器件可以包括具有形成在衬底(例如，半导体衬底)底层中的沟槽、和形成在衬底中沟槽与衬底上层之间的孔。另外，磁感应器件可以包括嵌入或沉积在沟槽内的...
单建安许树源伍荣翔
文献传递
大电感值集成磁性感应器件及其制造方法
本发明公开了大电感值集成磁性感应器件及其制造方法。该磁性感应器件可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的一个或多个部分相邻的导电绕组围绕的磁芯、以及分别处于衬底和导电绕组之间以及在磁芯和导电绕组之间的绝缘层。...
单建安伍荣翔方向明
文献传递
栅介质中具有电荷俘获材料的功率半导体场效应晶体管结构
本发明提供一种具有更高可靠性的功率半导体器件及其制造方法。一方面，所述功率半导体器件是具有对寄生双极晶体管（BJT）开启的增强抑制和正常阈值电压的功率场效应晶体管（FET）。所述器件包括：第一导电类型的掺杂源区（14）、...
单建安周贤达
文献传递
大电感值集成磁性感应器件及其制造方法
本发明公开了大电感值集成磁性感应器件及其制造方法。该磁性感应器件可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的一个或多个部分相邻的导电绕组围绕的磁芯、以及分别处于衬底和导电绕组之间以及在磁芯和导电绕组之间的绝缘层。...
单建安伍荣翔方向明
文献传递
栅介质中具有电荷俘获材料的功率半导体场效应晶体管结构
本发明提供一种具有更高可靠性的功率半导体器件及其制造方法。一方面，所述功率半导体器件是具有对寄生双极晶体管（BJT）开启的增强抑制和正常阈值电压的功率场效应晶体管（FET）。所述器件包括：第一导电类型的掺杂源区（14）、...
单建安周贤达
文献传递
中子辐照对IGBT特性的影响被引量：1
1999年
简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验，对比了辐照前后器件的关断特性。
袁寿财朱长纯单建安
关键词：绝缘栅双极晶体管元胞阈值电压开关时间
500 V/11 A VDMOSFET 的研究被引量：1
1998年
在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．
陈宁朱长纯吴一清单建安
关键词：功率器件MOS结构场效应
自保护MOS栅晶闸管
2000年
本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件 .这种器件无寄生闩锁效应 ,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性 .因此 ,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区 .器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节 ,极大增加了使用的灵活性 .此外 ,器件保护点电流和电压的温度系数均为负 。
高玉民单建安许曙明
关键词：自保护安全工作区SOI沟槽隔离
功率片上系统结构
提供了一种照明器件。该照明器件包括衬底、多个集成电路(22’、24)、多个嵌入式无源元件(26、27)以及照明元件(22)，该器件被布置为具有三层的结构：包括集成电路(22’、24)的集成电路层(11)，其中集成电路层(...
俞捷单建安刘纪美
文献传递
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