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方向明

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：香港科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇导电
  • 2篇电感
  • 2篇电感器
  • 2篇电感值
  • 2篇绕组
  • 2篇闭环
  • 2篇磁芯
  • 1篇低电阻
  • 1篇电极
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电阻
  • 1篇介质层
  • 1篇沟槽

机构

  • 3篇香港科技大学

作者

  • 3篇单建安
  • 3篇方向明
  • 3篇伍荣翔

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
大电感值集成磁性感应器件及其制造方法
本发明公开了大电感值集成磁性感应器件及其制造方法。该磁性感应器件可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的一个或多个部分相邻的导电绕组围绕的磁芯、以及分别处于衬底和导电绕组之间以及在磁芯和导电绕组之间的绝缘层。...
单建安伍荣翔方向明
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大电感值集成磁性感应器件及其制造方法
本发明公开了大电感值集成磁性感应器件及其制造方法。该磁性感应器件可以包括形成于衬底中的沟槽、包含于沟槽中且被与衬底的一个或多个部分相邻的导电绕组围绕的磁芯、以及分别处于衬底和导电绕组之间以及在磁芯和导电绕组之间的绝缘层。...
单建安伍荣翔方向明
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集成电容器的方法和设备
本发明公开了集成电容器的方法和设备。集成电容器可制造为由沟槽形成的两个电极以获得低电阻。根据一个实施例，电容器可包括：第一沟槽电极、一个或多个电介质层以及第二沟槽电极。可在不同的沟槽中制造第一沟槽电极和第二沟槽电极，以改...
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