周立
- 作品数：20 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程航空宇航科学技术更多>>
- InP基2-3微米波段无锑量子阱激光器
- 顾溢张永刚陈星佑马英杰周立奚苏萍杜奔
- FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正被引量：4
- 2015年
- 针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.
- 张永刚周立顾溢马英杰陈星佑邵秀梅龚海梅方家熊
- 关键词：响应光谱光电探测器傅里叶变换红外
- 组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)
- 2013年
- 通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.
- 方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎
- 关键词：INALAS缓冲层X射线衍射光致发光
- 2-3 μm波段不含锑量子阱激光器的设计、生长与器件验证
- 本文通过提高量子阱中In的组分，使发光波长扩展到2pm以上，但是受到临界厚度的限制，In组分和量子阱厚度很难持续提高。实验上获得的最长发光波长被限制在2.3pm左右。通过采用三角量子阱可以在相同的阱层应变量下获得比传统方...
- 顾溢李好斯白音张永刚曹远迎陈星佑周立李爱珍李耀耀王凯方祥
- 关键词：激光器量子阱结构设计模式
- 文献传递
- 光电探测器的响应波长裁剪与性能优化
- 本文以AlGaInAs四元系为例，介绍GSMBE材料生长和器件研制工作常规量子型光电探测器本质上仍是一种具有宽谱响应的器件，对于能量大于其禁带宽度的光子均可以有响应。光电探测器在长波端一般表现出锐截止特征，其截止波长入。...
- 张永刚顾溢周立陈星佑王凯李爱珍李好斯白音
- 关键词：光电探测器电子光谱波长分配
- 文献传递
- FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正被引量：3
- 2016年
- 针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
- 张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔
- 关键词：发射光谱发光强度光荧光傅里叶变换
- 2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
- 2016年
- 介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．
- 张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
- 关键词：半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
- InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)
- 2014年
- 采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
- 曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音
- 关键词：分子束外延
- 气态源分子束外延制备GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构材料
- 本实验采用气态源分子束外延技术，在GaAs衬底上通过生长In组分渐变的缓冲层，制备了截止波长为2.53μm的探测器结构材料。作为比较，在相同条件下也在InP衬底上制备了相同结构的探测器结构材料。X射线衍射分析表明，与In...
- 陈星佑张永刚顾溢周立方祥曹远迎李好斯白音
- 关键词：红外探测器分子束外延
- 文献传递
- N-型In0.83Ga0.17As中的载流子散射和弛豫动力学过程
- 马英杰顾溢张永刚陈星佑奚苏萍周立
