曹远迎
- 作品数：17 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 2-3微米波段InP基无锑量子阱激光器材料、器件及应用
- 顾溢张永刚曹远迎陈星佑李爱珍马英杰周立李好斯白音李耀耀奚苏萍杜奔王凯方祥
- 开拓2-3微米波段的半导体激光器对于发展航天遥感和气体光谱分析具有重要价值，对于把中国成像技术从被动探测成像向主动光谱成像发展具有重要的推动作用。在此波长范围半导体激光器虽可采用基于GaSb衬底的含锑材料，但锑化物材料本...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器
- 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法
- 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻...
- 曹远迎李耀耀张永刚顾溢王凯
- 失配递变速率对InGaAs线性异变缓冲层的影响
- 本文中，采用气态源分子束外延技术在InP(001)衬底上直接生长了失配递变速率分别为1.2 ％μm-1和3.1％μm-1的线性缓冲层样品，研究失配递变速率对线性异变缓冲层的影响。原子力显微镜照片显示两样品表面均出现明显的...
- 方祥顾溢陈星佑周立曹远迎李好斯白音张永刚
- 关键词：红外探测器
- 文献传递
- 组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)
- 2013年
- 通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.
- 方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎
- 关键词：INALAS缓冲层X射线衍射光致发光
- 全息光刻和二次显影法制备柱形二维光子晶体(英文)被引量：4
- 2014年
- 采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显影,而曝光强度最弱区域的光刻胶则可以完全被保留下来.通过调节入射角,可以方便地调节二维结构的周期.利用此方法,在相对较大的面积上制备了不同周期的二维结构,二维结构具有很好的均匀性和重复性.文章对有关的工艺参数进行了详细讨论.
- 曹远迎张永刚李耀耀顾溢李爱珍李好斯白音
- 关键词：全息光刻二维光子晶体柱形
- 2-3 μm波段不含锑量子阱激光器的设计、生长与器件验证
- 本文通过提高量子阱中In的组分，使发光波长扩展到2pm以上，但是受到临界厚度的限制，In组分和量子阱厚度很难持续提高。实验上获得的最长发光波长被限制在2.3pm左右。通过采用三角量子阱可以在相同的阱层应变量下获得比传统方...
- 顾溢李好斯白音张永刚曹远迎陈星佑周立李爱珍李耀耀王凯方祥
- 关键词：激光器量子阱结构设计模式
- 文献传递
- 2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
- 2016年
- 介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1．7μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2．5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2．9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2．6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制．
- 张永刚顾溢陈星佑马英杰曹远迎周立奚苏萍杜奔李爱珍李好斯白音
- 关键词：半导体激光器光电探测器气态源分子束外延
- InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器(英文)
- 2014年
- 采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As数字合金三角形势阱和张应变的In_(0.43)Ga_(0.57)As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm^2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
- 曹远迎顾溢张永刚李耀耀方祥李爱珍周立李好斯白音
- 关键词：分子束外延
- 气态源分子束外延制备GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构材料
- 本实验采用气态源分子束外延技术，在GaAs衬底上通过生长In组分渐变的缓冲层，制备了截止波长为2.53μm的探测器结构材料。作为比较，在相同条件下也在InP衬底上制备了相同结构的探测器结构材料。X射线衍射分析表明，与In...
- 陈星佑张永刚顾溢周立方祥曹远迎李好斯白音
- 关键词：红外探测器分子束外延
- 文献传递
- 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)被引量：3
- 2011年
- 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.
- 顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚
- 关键词：光电探测器缓冲层INGAASINALAS
