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孙红程

作品数:14 被引量:7H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 5篇发光
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米硅
  • 3篇电致发光
  • 3篇氧化硅
  • 3篇退火
  • 3篇二氧化硅
  • 3篇
  • 3篇掺杂
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子束
  • 2篇多层膜
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子注入
  • 2篇势垒
  • 2篇热退火

机构

  • 14篇南京大学
  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 14篇孙红程
  • 12篇徐骏
  • 12篇陈坤基
  • 10篇李伟
  • 9篇刘宇
  • 9篇徐岭
  • 6篇马忠元
  • 6篇陈德媛
  • 5篇韦德远
  • 5篇陈谷然
  • 3篇万能
  • 3篇沐维维
  • 3篇王涛
  • 3篇徐伟
  • 3篇黄信凡
  • 2篇甘新慧
  • 2篇林涛
  • 2篇刘宇
  • 2篇戴明
  • 2篇严敏逸

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇南京邮电大学...
  • 1篇第二届全国纳...
  • 1篇第一届全国纳...

年份

  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法
本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法,属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层;在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退...
韦德远徐骏王涛陈德媛韩培高孙红程刘宇陈谷然陈坤基马忠元李伟徐岭
文献传递
激光晶化制备纳米硅量子点/二氧化硅多层结构及其高效电致发光
硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一,因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点,迄今仍没有一个确定的解决方案[1]。为了克服体硅材料量子效率低下的问题,人们提出了利用纳米硅量子点来提高电子空穴的复合几率来实现...
徐伟李伟孙红程徐骏沐维维孙胜华李建严敏逸陈坤基
关键词:激光晶化二氧化硅多层结构电致发光
局域表面等离激元增强光发射中银岛膜的制备和光学特性研究
基于LED的固态光源因其工作电压低、寿命长、体积小等优点而备受青睐,但在可见光波段较低的光发射效率限制了它的进一步发展。为了研究金属岛膜吸收峰位的变化情况,本文在不同条件下制备了生长厚度为10nm、20nm和30nm的银...
严敏逸徐岭马忠元王旦清孙红程方忠慧李伟陈坤基黄信凡徐骏
关键词:固态光源银岛膜表面形貌光学性质
文献传递
一种近红外光发射硅基材料及其制备方法
本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法,属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底,所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜;所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼...
徐骏孙红程沐维维陈坤基李伟徐伟徐岭刘宇
文献传递
一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法,属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底,关闭电子束蒸发仪的腔体,将腔体内抽真空并烘烤腔体,调节电子束斑,使之打在ITO靶材表面,...
徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
文献传递
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
一种近红外光发射硅基材料及其制备方法
本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法,属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底,所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜;所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼...
徐骏孙红程沐维维陈坤基李伟徐伟徐岭刘宇
本征与掺杂硅/二氧化硅多层膜的制备和光学性质研究
基于半导体硅材料的微电子技术自上世纪四十年代诞生以来,就以蓬勃的发展势头,引起了全世界的研究热潮。随着微电子技术的不断发展,微电子器件的尺寸一直不断减小,已经接近其物理极限。因此,人们希望能将半导体光学器件和微电子器件结...
孙红程
关键词:光学性质化学掺杂
不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质被引量:6
2009年
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.
宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基
关键词:氢化非晶硅退火纳米硅电输运
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
共2页<12>
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