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宋波
作品数:
51
被引量:11
H指数:2
供职机构:
浙江大学
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发文基金:
浙江省自然科学基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
石油与天然气工程
理学
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合作作者
韩雁
浙江大学信息学院
李明亮
浙江大学信息学院
董树荣
浙江大学信息学院
马飞
浙江大学
苗萌
浙江大学
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浙江大学
作者
51篇
宋波
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韩雁
44篇
董树荣
44篇
李明亮
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齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种齐纳二极管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅,用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护;由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅,用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ES...
李明亮
董树荣
韩雁
宋波
苗萌
马飞
二极管串辅助触发的互补型SCR结构
本发明公开了一种二极管串辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅,用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护;由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅,用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD...
李明亮
董树荣
韩雁
宋波
苗萌
马飞
文献传递
集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路,它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接,VirtualVDD...
李明亮
董树荣
杜晓阳
韩雁
霍明旭
黄大海
宋波
文献传递
一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅
本发明公开了一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅,包括P型衬底,P型衬底上设有深N阱,深N阱内设有N阱以及位于N阱两侧的第一P阱和第二P阱;第一P阱上设有通过第一浅壕沟隔离的第一N+注入区和第一P+注入区,第一P...
马飞
韩雁
董树荣
宋波
苗萌
李明亮
吴健
郑剑锋
文献传递
一种内嵌PMOS辅助触发可控硅结构
本发明公开了一种内嵌PMOS辅助触发可控硅器件,包括P型衬底及其上方的置P阱和N阱,P阱和N阱交界处上方横跨有PMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅,N阱上依次设有第一浅壕沟隔离,第一N+注入区、第二浅壕沟隔离和第一P...
马飞
韩雁
董树荣
黄大海
宋波
李明亮
苗萌
文献传递
一种可控硅器件
本发明公开了一种可控硅器件,包括P型衬底,在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱,在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区,实现了触发电压值降低...
苗萌
董树荣
李明亮
吴健
韩雁
马飞
宋波
郑剑锋
文献传递
一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管
本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管,用于核心电路的ESD防护,由漏极连接核心电路的输入出端,源极和衬底直接接地,栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联,漏极连接GCNMOS管的栅极,源极和衬底...
宋波
韩雁
董树荣
马飞
黄大海
李明亮
苗萌
一种可控硅器件
本发明公开了一种可控硅器件,包括P型衬底,在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱,在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区,实现了触发电压值降低...
苗萌
董树荣
李明亮
吴健
韩雁
马飞
宋波
郑剑锋
集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路,它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接,VirtualVDD...
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董树荣
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一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管
本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管,用于核心电路的ESD防护,由漏极连接核心电路的输入出端,源极和衬底直接接地,栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联,漏极连接GCNMOS管的栅极,源极和衬底...
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