宓斌玮
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 一种用于电容型体硅微陀螺的低噪声读出电路芯片被引量：6
- 2010年
- 读出电路位于微传感器系统信号通路的最前端,是决定系统性能的关键因素。本文针对音叉式体硅微陀螺的具体应用,提出了一种低噪声电容读出电路,芯片采用斩波技术降低了电路的低频1/f噪声、失调电压以及参考电压失配的影响,提高了读出电路的分辨率和动态范围;提出一种噪声电荷转移的分析方法,用于分析和预测读出电路的噪声性能;建立一种简化的微陀螺传感器仿真模型,用于模拟读出电路对微传感器的响应。读出电路在0.35μm 2P4 M标准CMOS工艺下设计流片,并与微传感器进行了联合应用,芯片面积为2×2.5mm2,在5V电源电压,100kHz的时钟频率下,实现了4aF/Hz的电容分辨率和94dB的动态范围。
- 尹韬杨海钢张翀吴其松焦继伟宓斌玮
- 关键词：微陀螺读出电路低噪声斩波
- MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法
- 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的...
- 徐高卫罗乐陈骁焦继伟宓斌玮
- 文献传递
- MEMS器件的真空封装结构及其制作方法
- 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法，通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来，且使孤岛从密封环内延伸到密封环外，并通过半导体层与下基板键合，实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所...
- 焦继伟王敏昌颜培力宓斌玮刘文俊
- 基于“8悬臂梁-质量块”结构的新颖x轴音叉式硅微机械陀螺被引量：3
- 2007年
- 设计、制作并测试了一种新颖的x轴音叉式微机械陀螺,它以"8悬臂梁-质量块"结构来实现Coriolis力的检测,与常见的单层弹性梁-质量块结构相比,具有更好的模态稳定性;大质量块与薄弹性梁的结构设计有助于获得低机械噪声与高灵敏度.采用体硅微机械加工工艺在(111)硅晶圆上试制了基于"8悬臂梁-质量块"结构的微陀螺,由于在(111)晶向上硅的湿法腐蚀速率极其缓慢,而用氧化硅填充的限制槽限定侧向腐蚀范围,因此这套工艺能对双层弹性梁的结构尺寸进行精确控制,获得较小的模态失配.在大气环境中,该陀螺具有±200°/s的量程,角速度灵敏度为0.15mV/(°/s),分辨率约为0.1°/s.
- 段飞焦继伟王育才张颖宓斌玮李金鹏钱清王跃林
- 关键词：微机械陀螺X轴
- 一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型硅微加速度计被引量：1
- 2007年
- 提出了一种具有“8悬臂梁-质量块”结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(111)硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀特性结合深反应离子刻蚀(DRIE)实现的,其尺度精确可控,保证了结构的对称性.该加速度计的谐振频率为2·08kHz,品质因子Q为21·4,灵敏度为93·7mV/g.
- 王育才焦继伟段飞张颖宓斌玮李金鹏钱清王跃林
- 关键词：微加速度计微机械加工各向异性腐蚀
- 微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应被引量：2
- 2010年
- 在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱动和检测模态有明显的失配,该失配的发生原因除了气体阻尼,更主要来源于驱动和检测结构弹性梁尺寸的工艺偏差。在分析了实验过程及结果的基础上可以认为,除了典型的DRIE滞后效应等因素外,器件结构的局域掩膜效应加剧了工艺偏差:对称弹性梁结构周边的非对称掩膜图形导致了刻蚀气体分布的局部不均匀,增加了DRIE刻蚀的侧蚀偏差。
- 冷悦焦继伟张颖顾佳烨颜培力宓斌玮
- 关键词：MEMS陀螺深反应离子刻蚀
- MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法
- 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的...
- 徐高卫罗乐陈骁焦继伟宓斌玮
- 文献传递
- MEMS器件的真空封装结构及其制作方法
- 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法，通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来，且使孤岛从密封环内延伸到密封环外，并通过半导体层与下基板键合，实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所...
- 焦继伟王敏昌颜培力宓斌玮刘文俊
- 文献传递
