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张兴元

作品数：9 被引量：51H指数：4
供职机构：重庆大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：重庆市科技攻关计划国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 3篇氮化
  • 2篇电特性
  • 2篇室温
  • 2篇溅射沉积
  • 2篇工艺参
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 1篇大学生
  • 1篇大学生科研
  • 1篇大学生科研训...
  • 1篇大学生科研训...
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化钛
  • 1篇氮化锆薄膜
  • 1篇挡板
  • 1篇低辐射
  • 1篇电子结构

机构

  • 9篇重庆大学

作者

  • 9篇张兴元
  • 9篇黄佳木
  • 2篇王亚平
  • 2篇董建华
  • 2篇覃丽禄
  • 1篇徐成俊
  • 1篇杨辉
  • 1篇蔡小平
  • 1篇李少辉
  • 1篇万朝均
  • 1篇赵小丽
  • 1篇刘园园
  • 1篇江四川
  • 1篇严薇
  • 1篇赵磊
  • 1篇张义豪
  • 1篇何国庆

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇重庆大学学报...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 4篇2013
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
制备工艺参数对镁合金表面沉积TiCN薄膜耐蚀性的影响被引量：6
2013年
采用射频磁控溅射法在AZ31镁合金表面沉积TiCN薄膜,研究了制备工艺参数对TiCN薄膜耐腐蚀性能的影响。结果表明,在Ti靶功率50W,C靶功率50W,N2流量20sccm,溅射时间4.5h条件下,镀TiCN薄膜的镁合金基体具有最佳的耐蚀性,其在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的腐蚀电流密度为1.664×10-6 A/cm2,比同等条件下纯镁合金基体的腐蚀电流密度(1.785×10-5 A/cm2)下降了1个数量级。
张兴元江四川杨辉张义豪黄佳木
关键词：磁控溅射镁合金耐腐蚀性
室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺被引量：3
2004年
ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响。实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0sccm,射频功率400W,Ar气为0.7Pa,溅射时间为2.5h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色。
黄佳木董建华张兴元
关键词：ZNO:AL薄膜磁控溅射光电特性
发挥专业实验室的支撑作用 培养材料本科创新人才被引量：6
2013年
在介绍重庆大学工程材料实验教学示范中心"磁控溅射制备功能薄膜材料"创新实验系列项目的开发与实施的基础上,总结了专业实验室在培养本科创新人才过程中的支撑作用,指出专业实验室承担SRTP(student research training program)项目时,需要有一支具有一定学术水平的实验教学队伍、有一套规范的项目指导程序,同时还要结合科学研究不断开发新的实验项目,这是保证SRTP项目实施成效的重要因素。
张兴元严薇黄佳木万朝均覃丽禄
关键词：大学生科研训练计划功能薄膜材料磁控溅射
室温直流磁控溅射氮化钛薄膜研究被引量：19
2005年
利用直流磁控溅射在室温下沉积出性能优良的氮化钛薄膜,研究了N2流量和偏压对氮化钛薄膜性能和结构的影响,并采用扫描隧道显微镜(STM)技术对其表面形貌进行了较为详细的研究。结果表明,随着N2流量的增加,薄膜的结构从四边型混合结构转变为面心立方NaCl型结构,最后变为无定型结构,薄膜结构的变化也使薄膜的硬度随之发生变化;施加负偏压不仅能让薄膜中缺陷减少,使膜层变得更致密,而且还能优化氮化钛晶粒,从而获得性能优良的薄膜。从TiN薄膜的表面形貌图可知,薄膜表面平整,缺陷很少,晶粒排列非常致密,且空位及表面缺陷较少。
黄佳木徐成俊张兴元王亚平
关键词：氮化钛工艺参数表面形貌
JGP-560B磁控溅射仪基片台的改进被引量：1
2013年
针对JGP-560B型磁控溅射仪存在基片台可放置基片的数量及尺寸有限、同批不同样品成分的一致性难以保证等问题,将设备的基片挡板转盘改进成了一次可放置较多数量基片,并能实现连续旋转的新基片台。结果表明:通过优化可编程控制器端口的接线,既保留了JGP-560B磁控溅射仪的原设计功能,又实现了挡板转盘的软件可控连续旋转,且可通过LED灯指示挡板转盘的旋转状态;在挡板转盘上,根据靶离子的有效溅射范围设计的5个基片位,满足了一次最多可放置20片载玻片基片的实验需求。该技术改进有效满足了多基片一次性沉积均一多元薄膜的实验要求,为JGP-560B磁控溅射仪基片台的技术改进提供了改进思路和有效方案。
张兴元何国庆刘园园黄佳木
关键词：磁控溅射可编程控制器
纳米氮化锆薄膜的光学性能研究被引量：1
2007年
采用射频磁控溅射法在载玻片和硅片上制备了纳米氮化锆薄膜。结果表明,纳米氮化锆薄膜(10～29nm)呈非晶态,其光学特性在波长380～2700nm的范围内平均可见光透过率为82.86%,平均反射率低至10.78%。扫描隧道谱(SIS)分析表明薄膜禁带宽度E_g为2.99 eV,在可见光范围内光子多为透过,反射和吸收较弱。从薄膜的X光电子能谱图(XPS)可知,薄膜表面存在大量的ZrO_2,对于纳米级的氮化锆薄膜而言,表面相ZrO_2对整体光学性能的影响较大。
黄佳木王亚平张兴元
关键词：薄膜光学电子结构氧化锆
工艺参数对RF磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜特性的影响被引量：12
2003年
ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜 ,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响。结果表明原位制备的薄膜经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构 ,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为 8 7× 10 - 4 Ωcm和 85
黄佳木董建华张兴元
关键词：铝掺杂氧化锌薄膜光电特性
非晶态TiO_2-Ag薄膜的光催化性能研究被引量：4
2007年
采用磁控溅射技术在玻璃基片上制备了非晶态的TiO2-Ag薄膜,用XRD、XPS、STS和椭圆偏光测厚仪等对薄膜的晶体结构、表面成分、电子结构和薄膜厚度进行了测试分析。试验和测试结果表明,薄膜呈非晶态,在薄膜表面存在单质Ag,其与Ti的原子浓度比为1.8∶1。STS测试得到薄膜的禁带宽度为1.8eV。对10mg/L的亚甲基蓝溶液光催化脱色实验表明,随着薄膜厚度的增加,光催化脱色率递增,当厚度达360nm时,薄膜对亚甲基蓝的脱色率在2h达90%以上,当厚度>360nm时,光催化脱色率不再增加;对2mg/L罗丹明B溶液光催化脱色实验表明,其脱色率对薄膜厚度的增加不敏感,薄膜对罗丹明B的脱色率在3h内达到88.7%。
黄佳木赵磊蔡小平张兴元
关键词：磁控溅射光催化亚甲基蓝罗丹明B
一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺
一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺，属于功能薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法制备一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜，其膜层结构从衬底基片往上依次为：钽过渡层、银层、氮化硅铝介质层。该膜层可见光透过率高，红外辐射率低，拥...
黄佳木香承杰李少辉张兴元赵小丽覃丽禄
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