董建华
- 作品数：8 被引量：77H指数：4
- 供职机构：重庆大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性被引量：38
- 2002年
- 笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。
- 黄佳木董建华张新元
- 关键词：导电薄膜射频磁控溅射光电特性
- 透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究被引量：16
- 2003年
- ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。
- 黄佳木董建华张新元
- 关键词：射频磁控溅射ZAO薄膜光电特性
- 室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺被引量：3
- 2004年
- ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响。实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0sccm,射频功率400W,Ar气为0.7Pa,溅射时间为2.5h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色。
- 黄佳木董建华张兴元
- 关键词：ZNO:AL薄膜磁控溅射光电特性
- 透明导电In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其特性研究
- 透明导电氧化物薄膜材料具有大的载流子浓度和光学禁带宽度，因而表现出优良的光电特性，如低的电阻率和高的可见光透过率等。目前此类材料体系包括：In2O3、SnO2、ZnO及其掺杂体系In2O3:Sn(ITO)、SnO2:Sb...
- 董建华
- 关键词：透明导电薄膜ZNO:AL磁控溅射
- 工艺参数对RF磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜特性的影响被引量：12
- 2003年
- ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜 ,研究了工艺参数对其结构和光电特性的影响。结果表明原位制备的薄膜经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构 ,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为 8 7× 10 - 4 Ωcm和 85
- 黄佳木董建华张兴元
- 关键词：铝掺杂氧化锌薄膜光电特性
- 透明导电In<,2>O<,3>:Sn和ZnO:A1薄膜的制备及其特性研究
- 该研究课题以氧化烟锡靶和氧化锌铝靶为靶材,采用射频磁控溅射工艺在纯氩气氛中沉积ITO和ZAO薄膜,靶材中SnO<,2>和Al<,2>O<,3>的掺杂比例分别为10﹪和3﹪,成膜过程中研究了各工艺参数对其结构和光电特性的影...
- 董建华
- 关键词：透明导电薄膜ZNO:ALZAO薄膜
- 文献传递
- 磁控溅射沉积透明导电薄膜的结构及光电特性研究被引量：7
- 2003年
- 采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜 ,系统研究了各工艺参数 ,如工作气压、温度、射频功率和退火条件对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且补底温度为 30 0℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至 8 7× 1 0 -4Ωcm ,可见光透过率在 85 %以上。X射线衍射谱扫描电镜照片表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向 ,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。
- 黄佳木董建华
- 关键词：ZAO薄膜透明导电薄膜射频磁控溅射光电特性
- 透明导电In2O3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其特性研究
- 透明导电氧化物薄膜材料具有大的载流子浓度和光学禁带宽度，因而表现出优良的光电特性，如低的电阻率和高的可见光透过率等。目前此类材料体系包括：In2O3、SnO2、ZnO及其掺杂体系In2O3:Sn(ITO)、SnO2:Sb...
- 董建华
- 关键词：透明导电薄膜ZNO:AL磁控溅射工艺参数
