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张宝顺

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 3篇功率半导体
  • 3篇MBE生长
  • 3篇高功率
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇高功率半导体...
  • 1篇液相外延
  • 1篇阵列
  • 1篇双晶
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇热沉
  • 1篇微通道
  • 1篇微通道热沉
  • 1篇激光器阵列
  • 1篇功率

机构

  • 6篇长春光学精密...

作者

  • 6篇张宝顺
  • 4篇张兴德
  • 4篇薄报学
  • 3篇曲轶
  • 2篇王晓华
  • 2篇高欣
  • 1篇刘国军
  • 1篇李梅
  • 1篇李学千
  • 1篇王玲
  • 1篇朱宝仁
  • 1篇宋晓伟
  • 1篇王玉霞
  • 1篇张千勇

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇兵工学报
  • 1篇长春光学精密...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究被引量：1
2001年
本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。
李梅宋晓伟王晓华张宝顺李学千
关键词：MBE生长分子束外延双晶衍射
微通道热沉标准单元制作的SEM观察
2000年
王晓华张宝顺王玉霞任大翠张兴德
关键词：半导体激光器SEM
MBE生长高功率半导体激光器研究
曲轶薄报学张宝顺张兴德
关键词：MBE生长半导体激光器
文献传递
MBE生长高功率半导体激光器
1999年
对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ，ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ，峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。
曲轶高欣张宝顺薄报学张兴德
关键词：半导体激光器高功率半导体激光器分子束外延激光器阵列
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
1999年
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
高欣曲轶薄报学张宝顺张兴德
关键词：半导体激光器液相外延
外延技术在半导体激光器中的应用
1998年
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展，并比较了国内外的水平差距。
刘国军张千勇杨晗夏伟张兴德薄报学朱宝仁寻立春李学谦张宝顺王玲王玉霞
关键词：高功率半导体激光器LPECVDMBE
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