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徐言东

作品数:7 被引量:11H指数:2
供职机构:曲阜师范大学物理工程学院更多>>
发文基金:山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇脉冲激光
  • 6篇脉冲激光沉积
  • 5篇光学
  • 4篇光学性
  • 3篇退火
  • 3篇光学性质
  • 2篇带隙
  • 2篇退火处理
  • 2篇结构和光学性...
  • 2篇光学带隙
  • 2篇ZNO
  • 2篇ZNS薄膜
  • 1篇生长温度
  • 1篇势垒
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇金刚石薄膜

机构

  • 7篇曲阜师范大学
  • 5篇鲁东大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 7篇徐言东
  • 6篇李清山
  • 5篇李新坤
  • 3篇梁德春
  • 3篇于业梅
  • 2篇张霞
  • 2篇丁旭丽
  • 1篇蒙延峰
  • 1篇张立春
  • 1篇谢小军
  • 1篇蒙岩峰
  • 1篇宗磊

传媒

  • 2篇物理实验
  • 1篇激光技术
  • 1篇激光杂志
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学(E...

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
退火处理对ZnS薄膜的结构和光学性质的影响被引量:3
2009年
在200℃下利用激光沉积技术分别在玻璃和Si(100)上沉积制备了ZnS薄膜,并在300,400,500℃下退火1h。用X射线衍射(XRD)仪、紫外/可见光/近红外分光光度计、台阶仪和原子力显微镜(AFM)分别对不同衬底上样品的特征进行了观察。结果表明,玻璃上的ZnS薄膜只在28.5°附近存在着(111)方向的高度取向生长。在可见光范围内透射率为60%~90%。计算显示薄膜的光学带隙在3.46~3.53eV之间,其小于体材料带隙的原因在于硫元素的缺失。根据光学带隙判断薄膜是单晶立方结构的β-ZnS。Si(100)上生长的是多晶ZnS薄膜:500℃下退火后,表面也比未退火表面更加平整致密,变化规律与ZnS/glass的类似。说明高温下退火可以有效地促进晶粒的结合并改善薄膜质量。
徐言东李清山蒙延峰张霞于业梅李新坤丁旭丽
关键词:脉冲激光沉积光学带隙表面形貌
制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响被引量:1
2008年
采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压(10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa)和生长衬底温度(250-600℃)下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光(PL)光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外(UV)发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级发射由辐射复合变为无辐射复合。
梁德春李清山张立春徐言东
关键词:脉冲激光沉积退火
氦压对类金刚石薄膜结构和光学性质的影响被引量:1
2009年
使用脉冲激光沉积技术在不同氦压下制备了系列无氢类金刚石薄膜,测量了样品的Raman光谱、光吸收光谱和光致发光光谱,采用原子力显微镜测试了薄膜的表面形貌,研究了薄膜的微结构和光学性质与制备条件的依赖关系.结果表明,该薄膜是由sp2和sp3杂化碳原子组成的非晶碳膜.薄膜的光学带隙在1.45~1.78 eV.薄膜的发光在可见光区呈宽带结构,氦压能够对类金刚石薄膜的结构和光学性质产生较大影响.当氦压从0.05 Pa升高至15 Pa时,sp2团簇变大,带尾态增多,从而导致薄膜的发光增强,光学带隙变窄,发光峰位红移.AFM形貌表明随着氦压的升高,薄膜的表面由致密光滑变得粗糙,并且许多大小不均匀的球状颗粒出现在薄膜表面.
丁旭丽李清山徐言东于业梅李新坤
关键词:类金刚石薄膜脉冲激光沉积
Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响被引量:1
2009年
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的I-V测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层.
李新坤李清山梁德春徐言东谢小军
关键词:ZNO肖特基势垒MSM结构
AlN缓冲层对ZnO薄膜质量的影响被引量:2
2008年
采用脉冲激光沉积法以AlN为缓冲层在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,并测量了样品的XRD谱、SEM图和PL谱.结果表明,AlN缓冲层可以提高Si衬底上外延生长ZnO薄膜的晶体质量.改变缓冲层的生长温度(50~500℃)所制备样品的测量结果表明,较低温度下生长的AlN缓冲层有利于制备高质量的ZnO外延层薄膜,其中AlN缓冲层生长温度为100℃时外延生长ZnO薄膜晶体质量最好.
宗磊李清山李新坤张霞梁德春徐言东
关键词:脉冲激光沉积ZNOALN缓冲层
脉冲激光沉积法制备ZnS薄膜及其性质的研究
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探测器件、薄膜电池和电致发光领域,都是应用极为广泛的材料。本论文利用KrF准分子脉冲激光沉...
徐言东
关键词:脉冲激光沉积透射率光学带隙退火处理
文献传递
Cu掺杂ZnO薄膜光学性质的研究被引量:3
2010年
为了制备结晶质量好的Cu掺杂ZnO薄膜,研究其结构和光学性质,采用脉冲激光沉积方法,在Si衬底上选择不同的衬底温度来制备薄膜。实验成功制得了结晶质量较好的Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对样品进行了测量和分析。所制备的样品均表现出高度的c轴择优取向,衬底温度为300℃时,薄膜表面形貌均匀致密;在样品的光致发光谱中,发现样品除了在380nm附近出现紫外发光峰外,在460nm附近出现了蓝光发光峰,真正意义上实现了ZnO薄膜的蓝光发射。结果表明,衬底温度对其晶体质量有较大影响。
于业梅李清山李新坤徐言东蒙岩峰
关键词:脉冲激光沉积蓝光发射
共1页<1>
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