朱锋
- 作品数：50 被引量：213H指数：11
- 供职机构：南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究被引量：13
- 2006年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
- 张晓丹赵颖高艳涛陈飞朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：气体流量
- 微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究被引量：9
- 2004年
- 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出
- 张晓丹赵颖朱锋魏长春吴春亚高艳涛高艳涛孙建侯国付耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜VHF-PECVDAFM不均匀性RAMAN光谱晶化
- 本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究被引量：5
- 2005年
- 本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0. 51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;X射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF PECVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(Jsc=21mA/cm2, Voc=0. 46V, FF=51%, Area=0. 253cm2 )。
- 张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：化学气相沉积法微晶硅太阳能电池微晶硅薄膜
- 太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究被引量：8
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7·1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-SiH)/i(μc-SiH)/n(a-SiH/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1·2μm.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：拉曼光谱X射线衍射微晶硅薄膜硅太阳电池硅材料本征
- 优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响被引量：1
- 2006年
- 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：气体流量
- VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池初步研究被引量：6
- 2004年
- 研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明:随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立叶变换红外(FTIR)测试表明制备的样品中含有一定量的氧,使得样品呈现弱n型;室温微区喇曼光谱测试分析得到样品的微晶化特征与IR的分析是一致的,用高斯函数对喇曼谱解谱分析定量得出了晶化程度;分析了H处理p/I界面对电池性能的影响;首次在国内用VHF-PECVD制备出效率达4.24%的微晶硅电池。
- 张晓丹朱锋赵颖薛俊明孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜傅立叶变换红外光谱
- VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究被引量：1
- 2004年
- 用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度增大 ;结合喇曼的测试结果 ,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度 ;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量 ,Ra man测试结果表明相应的晶化率低。
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- 二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染被引量：7
- 2005年
- 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,不同本底真空中的氧污染实验结果表明 :微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系 ,因此要制备高质量的微晶硅材料 ,高的本底真空是必要条件 .
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- 关键词：二次离子质谱微晶硅薄膜
- 甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究被引量：15
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春魏长春孙建王岩熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜太阳电池
- P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用被引量：4
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/A l,厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%)。
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- 关键词：微晶硅太阳电池
