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文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇锗单晶
  • 1篇砂浆
  • 1篇抛光片
  • 1篇翘曲度
  • 1篇控制技术
  • 1篇VB
  • 1篇GAAS

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇李保军
  • 2篇马玉通
  • 2篇冯涛
  • 1篇刘玉岭
  • 1篇杨洪星
  • 1篇林健
  • 1篇吕菲
  • 1篇赵权

传媒

  • 3篇电子工业专用...
  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
多线切割工艺中切割线直径对翘曲度影响的研究被引量:7
2009年
目前,在硅单晶锭切割领域多线切割机已得到广泛的应用。切割砂浆及切割线在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。主要讨论切割线直径的不同对切割出晶片几何参数的影响。
李保军冯涛
关键词:翘曲度
锗单晶切割工艺研究被引量:2
2009年
多线切割机是一种将晶棒切割成晶片的设备,近年来得到大规模使用,其切割原理为利用高速运动的切割钢线将砂浆带入切割区,砂浆中的坚硬颗粒(主要为SiC)与晶棒进行磨削,进而起到切割作用。根据锗材料的特殊性,通过改变工艺参数(主轴平均转速,砂浆流量,砂浆供给方式等)与硅材料成熟切割工艺进行对比实验,进而稳定锗材料的切割工艺。
冯涛李保军马玉通
关键词:锗单晶砂浆
InP晶体多线切割工艺研究被引量:4
2012年
磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用。由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度。对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线切割工艺中工艺参数设置(如切割速度、切割线张力等)对InP切割片几何参数的影响。实验结果表明,InP不但可以采用多线切割技术进行切割,而且通过调整切割工艺参数,如适当提高切割速度、增加切割线张力等可以获取几何参数精度较高的InP切割片。
李保军林健马玉通
多线切割中切割线振动作用研究被引量:6
2008年
在多线切割中砂浆有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。讨论了切割线在运动中的振动效果以及对切割产生的影响,通过试验及对高速摄像机拍摄照片的分析,得出不同砂浆携带方式极其在工作中的振动会直接影响到切割出晶片几何参数的结论。
李保军
VB GaAs抛光片几何参数控制技术研究被引量:1
2007年
在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响。通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切割和化学腐蚀是控制VB GaAs晶片翘曲度的关键工艺,而抛光是控制VB GaAs总厚度变化和总指示读数的关键工艺。研究表明,通过调整切割速度、化学腐蚀速率和抛光速率等工艺参数,能够有效地控制VB GaAs抛光片的几何参数。
赵权杨洪星李保军吕菲刘玉岭
关键词:控制技术抛光片
共1页<1>
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