赵权
- 作品数：30 被引量：79H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技部专项基金更多>>
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- 超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量：4
- 2011年
- MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲王云彪武永超
- 关键词：超薄抛光工艺
- 空间太阳能电池用超薄锗单晶片的清洗技术
- 2011年
- 由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3]。在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术,利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。
- 林健赵权刘春香杨洪星
- 硅抛光片表面颗粒度控制被引量：4
- 2010年
- 硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。
- 武永超杨洪星张伟才宋晶赵权
- 磷化铟单晶片三步抛光技术研究被引量：6
- 2012年
- 在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制。在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平。在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制。在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制。
- 杨洪星王云彪刘春香赵权林健
- 关键词：表面粗糙度
- 表面活性剂在P型锗片磨削工艺中的应用被引量：3
- 2010年
- 由于锗材料具有优良的抗辐射性能,在航天领域获得了新的应用。在锗单晶片的磨削过程中,砂轮磨损产生的颗粒以及磨削下来的锗屑容易将砂轮阻塞,从而对锗单晶片表面的磨削纹路产生影响。通过试验,在去离子水管路上增加一条表面活性剂管路,可有效减少砂轮阻塞现象,降低砂轮修整的频率,提高了锗磨削片的表面质量。
- 陆峰杨洪星刘春香赵权
- 关键词：表面活性剂锗
- 厚层硅外延用衬底的边缘处理被引量：3
- 2013年
- 在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷。研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线的比例,为获得良好的外延效果,厚层外延衬底的倒角去除量不应低于0.6 mm。增大倒角面幅可以增大外延生长的边缘厚度过渡区,有助于消除"外延冠",减小晶片边缘向中心的应力。当面幅宽度达到500μm后,厚层外延滑移线的比例可降低至0.5%以下。另外,衬底片经过碱腐蚀后粗糙度明显增大,表面抛光后仍没有改善,这说明边缘抛光是提高晶片质量的一个必要步骤。
- 张伟才赵权陶术鹤陈建跃
- 关键词：滑移线
- 多结化合物电池用p型Ge抛光片清洗技术研究被引量：2
- 2010年
- 对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究。Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式。酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶片表面的颗粒。清洗液的温度和组分影响着抛光片的清洗效果。通过实验结果确定了p型Ge抛光片的清洗方案,采用这一清洗方案清洗的Ge抛光片,表面质量可以达到"开盒即用"的水平。运用晶片清洗机理分析了各种清洗液的功能和作用。
- 刘春香杨洪星赵权
- 关键词：清洗技术太阳电池清洗液晶片
- 晶片表面Haze值研究被引量：5
- 2011年
- 介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了Haze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号。通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haze值的关系;通过对Si抛光片和砷化镓抛光片的扫描对比,研究了晶片本体反射系数对Haze值的影响。研究结果表明,同种材料的Haze值随着表面粗糙度的增大而增大,而不同的材料即使拥有相似的表面粗糙度,Haze值也会因本体反射系数的不同而呈现很大差异。通过对Haze扫描图的特征分析,研究了Haze值分布与晶片表面均匀性的关系,成功地利用Haze值分布将表面性状化,为化学机械抛光和湿法清洗工艺提供了一个新的反馈手段。
- 张伟才宋晶杨洪星赵权
- 关键词：光散射表面粗糙度一致性
- Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析被引量：7
- 2008年
- 对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响。并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺。
- 吕菲赵权刘春香杨洪星秦学敏赵秀玲
- 关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
- 化学染色法测量B,Al及P扩散结深被引量：6
- 2009年
- 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
- 佟丽英赵权史继祥王聪李亚光
- 关键词：染色液
