刘春香
- 作品数：16 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析被引量：7
- 2008年
- 对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响。并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺。
- 吕菲赵权刘春香杨洪星秦学敏赵秀玲
- 关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
- 红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究被引量：2
- 2008年
- 分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力、抛光液中氧化剂的比例、抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率、抛光片正反面质量的影响,得到了相应的关系图表。根据实验结果,确定了Ge双面抛光工艺条件,采用该工艺条件对Ge片进行双面抛光,抛光片的几何参数指标和表面质量均能满足红外光学应用对抛光片的要求。
- 刘春香杨洪星赵权
- 关键词：红外光学
- 外延生长用磷化铟单晶片清洗技术被引量：3
- 2016年
- 根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片（0.15~0.17 nm）。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。
- 武永超林健刘春香王云彪赵权
- 关键词：表面粗糙度
- 多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究被引量：4
- 2011年
- 在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。
- 杨洪星张伟才陈亚楠王斌张春翔刘春香赵权
- 关键词：锗清洗技术多结太阳电池
- 多结化合物电池用p型Ge抛光片清洗技术研究被引量：2
- 2010年
- 对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究。Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式。酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶片表面的颗粒。清洗液的温度和组分影响着抛光片的清洗效果。通过实验结果确定了p型Ge抛光片的清洗方案,采用这一清洗方案清洗的Ge抛光片,表面质量可以达到"开盒即用"的水平。运用晶片清洗机理分析了各种清洗液的功能和作用。
- 刘春香杨洪星赵权
- 关键词：清洗技术太阳电池清洗液晶片
- 超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量：4
- 2011年
- MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲王云彪武永超
- 关键词：超薄抛光工艺
- 空间太阳能电池用超薄锗单晶片的清洗技术
- 2011年
- 由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3]。在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术,利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。
- 林健赵权刘春香杨洪星
- 磷化铟单晶片三步抛光技术研究被引量：6
- 2012年
- 在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制。在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平。在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制。在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制。
- 杨洪星王云彪刘春香赵权林健
- 关键词：表面粗糙度
- 表面活性剂在P型锗片磨削工艺中的应用被引量：3
- 2010年
- 由于锗材料具有优良的抗辐射性能,在航天领域获得了新的应用。在锗单晶片的磨削过程中,砂轮磨损产生的颗粒以及磨削下来的锗屑容易将砂轮阻塞,从而对锗单晶片表面的磨削纹路产生影响。通过试验,在去离子水管路上增加一条表面活性剂管路,可有效减少砂轮阻塞现象,降低砂轮修整的频率,提高了锗磨削片的表面质量。
- 陆峰杨洪星刘春香赵权
- 关键词：表面活性剂锗
- 超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术被引量：3
- 2010年
- Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲张伟才王云彪
- 关键词：机械强度太阳电池损伤层
