张伟才
- 作品数：26 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- 晶片表面Haze值研究被引量：5
- 2011年
- 介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了Haze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号。通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haze值的关系;通过对Si抛光片和砷化镓抛光片的扫描对比,研究了晶片本体反射系数对Haze值的影响。研究结果表明,同种材料的Haze值随着表面粗糙度的增大而增大,而不同的材料即使拥有相似的表面粗糙度,Haze值也会因本体反射系数的不同而呈现很大差异。通过对Haze扫描图的特征分析,研究了Haze值分布与晶片表面均匀性的关系,成功地利用Haze值分布将表面性状化,为化学机械抛光和湿法清洗工艺提供了一个新的反馈手段。
- 张伟才宋晶杨洪星赵权
- 关键词：光散射表面粗糙度一致性
- 线圈台阶数量对悬浮区熔炉内电磁场和热场的影响被引量：2
- 2022年
- 为了提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率和增加FZ法生长硅单晶的直径,使用模拟计算软件对FZ硅单晶生长过程进行了深入研究。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉内的电磁场和热场,分析了加热线圈台阶数量对电磁场和热场的影响。随着加热线圈台阶数量的增加,台阶处磁场强度降低,熔化的多晶硅表面远离中心位置附近的电磁能量和面电流密度增加,在主狭缝前缝尖端和后缝末端正下方的自由熔化表面的电磁能量、面电流密度和温度降低。因此,加热线圈台阶数量的增加可以使多晶硅表面熔化更加均匀并有效抑制液态硅从主狭缝下方边缘处溢出,提高FZ硅单晶生长的稳定性。
- 郑万超李聪冯旭张伟才王东兴
- 关键词：加热线圈电磁场
- 不同直径InP晶锭混合加工技术
- 2020年
- 通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响。实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移。通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积。
- 索开南杨洪星张伟才史艳磊徐森锋孙聂枫刘惠生
- 关键词：INP激光切割
- SiC微粉粒径对干法背面软损伤工艺影响
- 2018年
- 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理。以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响。实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm)。经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4~5)×10~4个/cm^2。背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现。
- 张伟才王雄龙杨洪星杨静李明佳
- 关键词：粒径
- InP单晶材料性能及制备方法被引量：2
- 2018年
- 介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向。
- 张伟才韩焕鹏杨静
- 厚层硅外延用衬底的边缘处理被引量：3
- 2013年
- 在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷。研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘损伤,降低外延生长中滑移线的比例,为获得良好的外延效果,厚层外延衬底的倒角去除量不应低于0.6 mm。增大倒角面幅可以增大外延生长的边缘厚度过渡区,有助于消除"外延冠",减小晶片边缘向中心的应力。当面幅宽度达到500μm后,厚层外延滑移线的比例可降低至0.5%以下。另外,衬底片经过碱腐蚀后粗糙度明显增大,表面抛光后仍没有改善,这说明边缘抛光是提高晶片质量的一个必要步骤。
- 张伟才赵权陶术鹤陈建跃
- 关键词：滑移线
- 铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析被引量：1
- 2017年
- 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。
- 杨静杨洪星韩焕鹏王雄龙田原范红娜张伟才
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光粗糙度
- 硅单晶抛光片边缘亮线研究被引量：2
- 2014年
- 随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展，国内10～15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈，外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷，对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析，揭示了“边缘亮线”产生的机理，分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响，通过优化抛光工艺条件，消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。
- 王云彪杨洪星陈亚楠张伟才
- 关键词：表面形貌成品率抛光片
- 半导体材料倒角边缘磨削用金刚石砂轮的组成及研究
- 2016年
- 在半导体晶圆的加工工艺中,用砂轮进行边缘磨削是非常重要的一环。包括滚圆磨削、倒角边缘磨削等。本文主要研究的是倒角边缘磨削用的金刚石砂轮。倒角用金刚石砂轮由基体、磨料和结合剂经一定的制造工艺加工而成。决定砂轮磨削性能的因素有:磨料种类、结合剂类型、粒度、硬度、集中度、组织等。砂轮的制造工艺有烧结砂轮和电镀砂轮。
- 陆峰康洪亮张伟才李聪陶术鹤
- 关键词：磨料结合剂
- 影响硅片倒角加工效率的工艺研究被引量：2
- 2015年
- 本文通过分析倒角边缘磨削原理,利用不同尺寸的晶圆,不同的倒角吸盘转速,不同甩干程序对晶片进行倒角程序加工并统计其加工时间,进而分析不同加工条件对倒角边缘磨削加工效率的影响,从而进行最大的改善、优化和提升。
- 康洪亮陶术鹤张伟才
