李潇
- 作品数：22 被引量：18H指数：1
- 供职机构：四川大学更多>>
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- 相关领域：电子电信医药卫生理学金属学及工艺更多>>
- 一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
- 2007年
- 采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹刘训春
- 关键词：INPINGAAS/INP复合沟道高电子迁移率晶体管
- 单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1
- 2007年
- 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.
- 徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明
- 关键词：单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压
- 一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量：10
- 2009年
- 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)～(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。
- 唐立田张海英黄清华李潇尹军舰
- 关键词：跨阻放大器CMOS工艺
- 一种模拟下肢截肢后心血管血流动力学特性的实验装置
- 本发明属于测量血管血流动力学特性技术领域，公开了一种模拟下肢截肢后心血管血流动力学特性的实验装置，包括储水桶、伸缩电机、数据采集系统和PC终端，储水桶通过导水管连通有蠕动泵，蠕动泵连通有心脏搏动模拟腔，心脏搏动模拟腔连通...
- 蒋文涛李潇徐凯仁李忠友陈冲白逃萍刁珺杰魏君如刘任静闵磊邰天翔俞海跃
- 文献传递
- 功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
- 刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
- 关键词：高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)被引量：1
- 2007年
- 报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
- 关键词：截止频率高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 吡啶-嘧啶胺-苯并咪唑衍生物及其制备方法和用途
- 本发明提供了吡啶‑嘧啶胺‑苯并咪唑衍生物及其制备方法和用途，属于医药领域。该衍生物是式I所示的化合物、或其盐、或其立体异构体、或其溶剂合物、或其水合物、或其前药。本发明衍生物对CDK4、CDK6激酶具有良好的抑制活性，可...
- 赵立峰张力丹余洛汀李潇
- 文献传递
- 下肢截肢患者心血管系统集中参数模型的血流动力学数值研究
- 2023年
- 下肢截肢虽已发现是心血管疾病的可能危险因素,但潜在的生物力学机制仍未得到充分了解。该研究的目的是了解术后不同时期和生活状态下肢截肢患者的心血管血流动力学状况,以评估异常血流动力学对心血管系统的影响。该文建立了含下肢动脉的心血管系统集中参数模型,模拟了截肢术后、术后成熟期和术后长期久坐三种常见的截肢患者状态。该文以7名下肢截肢患者超声实测下肢动脉直径为模型的参数设置参考。通过将正常人模型和下肢截肢模型的血压和血流量波形对比分析,发现截肢术后血管收缩压和舒张压幅值上升,腹主动脉及以下的动脉流量峰值明显下降;术后成熟期和长期久坐血压在舒张期早期峰值上升。这种异常的血流动力学变化可能是下肢截肢患者患高血压与心室肥大等心血管疾病的危险因素。该文建立的集中参数模型提供了截肢后血流动力学的变化规律,可为未来截肢患者康复治疗和心血管疾病预防提供理论指导。
- 刁珺杰蒋文涛李忠友魏君如李潇闵磊
- 关键词：下肢截肢血流动力学心血管疾病
- 磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺被引量：1
- 2006年
- 针对磷化铟（InP）基高电子迁移率晶体管（HEMT），进行了Ni／Ge／Au和Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au两种金属结构快速退火（10～40s）和长时间合金（10min）的实验．通过研究比较，得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法．利用Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au结构，在270℃下合金10min形成了典型值．0.068Ω·mm的接触电阻．
- 刘亮尹军舰李潇张海英李海鸥和致经刘训春
- 关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管欧姆接触合金传输线模型
- 下肢血管热扩张对全身血流动力学影响的预测
- 2021年
- 目的热疗是一种用于心血管护理有趣的策略,但局部干预疗法尚未得到足够的关注。确定以足浴为基础局部干预对全身血流循环的影响。方法招募10位健康受试者,采用激光多普勒血流仪测量小腿皮肤加热前后的血流灌注变化。水温控制在40℃和44℃。测量小腿8个点位,包括胫外、胫内、外踝、内踝、脚背、后跟、脚掌和大趾。同时,记录心率变化。通过各部分体表面积及其对应的皮肤灌注差异,建立涉及局部皮肤血流灌注的闭环模型,主要包括头、上肢和颈、前胸后背、前腹部。
- 李忠友蒋文涛李潇魏君如刁珺杰刘任静闵磊
- 关键词：健康受试者心血管护理激光多普勒血流仪体表面积下肢血管
