刘亮
- 作品数：23 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- 一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
- 2007年
- 采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹刘训春
- 关键词：INPINGAAS/INP复合沟道高电子迁移率晶体管
- 一种制作晶体管T型纳米栅的方法
- 本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在第二层电子束胶ZEP52...
- 刘亮张海英刘训春
- 文献传递
- 一种晶体管T型纳米栅的制作方法
- 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制作方法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上淀积一层氮化硅或二氧化硅介质；B、在所述氮化硅或二氧化硅介质上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520...
- 刘亮张海英刘训春
- 文献传递
- 单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1
- 2007年
- 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.
- 徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明
- 关键词：单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压
- Ku/K波段砷化镓PIN二极管单片单刀单掷开关
- 基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ的频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值...
- 吴茹菲尹军舰张健刘亮刘会东张海英
- 关键词：砷化镓单刀单掷开关PIN二极管插入损耗
- 文献传递
- InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究被引量：1
- 2005年
- 对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2 形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。
- 李潇张海英李海鸥尹军舰刘亮陈立强
- 关键词：磷化铟低温合金欧姆接触
- 功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
- 刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
- 关键词：高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)被引量：1
- 2007年
- 报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
- 关键词：截止频率高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 一种制备晶体管T型纳米栅的方法
- 本发明公开了一种制备晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在第二层电子束胶ZEP52...
- 刘亮张海英刘训春
- 文献传递
- 一种制备晶体管T型纳米栅的方法
- 本发明公开了一种制备晶体管T型纳米栅的方法，包括：A.在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B.在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C.在第二层电子束胶ZEP52...
- 刘亮张海英刘训春
- 文献传递
