李荣强
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器
- 2006年
- 基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.
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- 关键词：D/A转换器
- 基于MBE的f_(max)为157GHz的SiGe HBT器件被引量：3
- 2005年
- 在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件 fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以 MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax=157GHz的SiGe HBT器件.
- 刘道广郝跃徐世六刘玉奎何开全刘嵘侃张静刘伦才徐婉静李荣强陈光炳徐学良徐学良
- 关键词：自对准空气桥
- 高速12位D/A转换器研究
- 本文介绍了高速12位D/A转换器电路的设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
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- 关键词：数模转换器转换电路电路设计
- 文献传递
- 基于BiCMOS技术高速数字/模拟转换器研究
- 本文基于BiCMOS技术,开展了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器位载体,开展了电路设计,工艺制作和测试;在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,...
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- 关键词：集成电路数模转换芯片设计
- 文献传递
- 一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术
- 2006年
- 在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.
- 张静徐婉静谭开洲李荣强李开成刘道广刘伦才
- 关键词：应变SISIGE异质结场效应晶体管分子束外延弛豫
