石英学
- 作品数:5 被引量:4H指数:1
- 供职机构:吉林大学更多>>
- 发文基金:吉林省科技厅科研基金吉林省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 半导体高功率量子阱激光器退火后的电噪声被引量:2
- 2004年
- 在环境温度和工作电流下,对808nm高功率量子阱激光器进行老化实验,发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势,产生退火效应.本文应用初始性缺陷(高温高能条件下所形成的缺陷)和非初始性缺陷理论,探讨了器件发生退火及早期失效的原因.
- 石英学李靖郭树旭张素梅王雪丹石家纬
- 关键词:电噪声量子阱激光器高功率退火效应半导体体高
- 噪声用于半导体大功率激光器及双极晶体管可靠性研究
- 本论文首先叙述了半导体器件的电噪声特性,然后介绍了半导体器件低频电噪声测量常用的方法,改进了半导体器件电噪声测试系统。在此基础上开展了噪声用于器件可靠性检测方面的研究。对半导体激光器进行电导数、低频电噪声测量和电老化测试...
- 石英学
- 关键词:噪声半导体激光器双极晶体管可靠性
- 文献传递
- 808nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器
- 2004年
- 设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层。对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阈值电流偏大、导通电压偏高的直流特性。经4200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。
- 张素梅赵世舜石英学石家纬
- 关键词:高功率单量子阱ALGAAS/GAAS
- 控制界面态减少表面可动电荷降低晶体管的电噪声被引量:1
- 2005年
- 通过对比2688B,2688S,26883种工艺技术生产的彩色电视机高频视放晶体管的CB和电噪声谱密度S(f),论述了界面态和表面可动电荷能够引起晶体管表结反向漏电流Ivcbcbo面漏电流,从而使器件产生电噪声,并间接影响到反向击穿电压、小电流放大系数等参数.实验表明,采用合适的表面钝化技术,可有效控制晶体管的表面漏电流,降低晶体管的电噪声,使器件的可靠性、稳定性及其使用寿命得到提高.
- 石英学李靖郭树旭张素梅王雪丹石家纬
- 关键词:噪声可靠性晶体管
- 高功率半导体激光器的电噪声被引量:1
- 2005年
- 对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相同缺陷源的产生复合噪声(g r噪声)进行了研究. 实验结果表明, 如果老化电流远高于阈值电流Ith, 爆破噪声和g r噪声将会被引入, 甚至会出现多重g r噪声. 通过对比样品老化前后光电导数的特征参量发现, 老化后产生爆破噪声和g r噪声的器件为失效器件, 表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g r噪声. 通过缺陷能级理论和p n结势垒高度变化, 讨论了爆破噪声、g r噪声及多重g r噪声产生的原因.
- 石英学王雪丹石家纬李靖郭树旭
- 关键词:电噪声半导体激光器可靠性