窦红飞
- 作品数：20 被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较被引量：9
- 2000年
- 用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .
- 李娜李宁陆卫窦红飞陈张海刘兴权沈学础H.H.TanLanFuC.JagadishM.B.JohnstonM.Gal
- 关键词：ALGAAS红外探测器MOCVD
- 硅基低维半导体材料被引量：2
- 1997年
- Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）、多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了人们对硅基低维材料的关注．文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃＳｉ∶Ｈ。
- 刘明窦红飞何宇亮江兴流
- 关键词：低维结构超晶格纳米硅多孔硅光电子
- 纳米硅薄膜发光与量子点特性研究
- 窦红飞
- Znδ-掺杂GaAs热辅助的微分调制光谱
- 窦红飞陆卫陈效双李宁史国民沈学础
- 关键词：砷化镓
- 纳米硅薄膜低温光致发光被引量：1
- 1998年
- 以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。
- 窦红飞李建军魏希文邹赫麟何宇亮刘明
- 关键词：纳米硅薄膜光致发光等离子体
- 光和热诱导载流子的光电流谱比较研究
- 1998年
- 测量了包含有超薄层AlAs／GaAs超晶格的GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光电流谱，比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡越超薄层AlAs势垒的隧穿时间，得到了光电导对外电场的依赖关系。
- 万明芳陈效双窦红飞陆卫沈学础周均铭
- 关键词：光电流谱隧穿时间多量子阱结构
- 质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响被引量：4
- 2000年
- 利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm.
- 李娜陆卫李宁刘兴权袁先漳窦红飞沈学础FU LanTan H HC JagadishM B JohnstonM Gal
- 关键词：质子注入快速退火量子阱红外探测器
- 空间热梯度辅助的热调制反射光谱被引量：4
- 1999年
- 给出一种新的通过空间热梯度辅助的热调制反射光谱方法，其关键是在空间光谱方法基础上加一热场梯度，无需对材料进行通常空间调制方法的特殊处理．将该方法应用于典型半导体材料ＧａＡｓ，清晰地观察到ＧａＡｓ材料的带间跃迁Ｅ０和其它诸如Ｅ０＋Δ０、Ｅ１、Ｅ１＋Δ１的高能带跃迁．
- 窦红飞陆卫陈效双戴宁史国良沈学础
- 关键词：反射谱热梯度砷化镓
- 一维薛定谔方程的传递矩阵法求解被引量：3
- 1998年
- 报道应用传递矩阵方法直接在数值上确定任意一维势结构中的束缚态与准束缚态．通过对２×２矩阵乘积过程中的数据分解处理，使该方法可直接应用于实际器件尺度的异质结构系统。
- 陆卫穆耀明万明芳陈效双陈效双窦红飞刘兴权沈学础
- 关键词：传递矩阵薛定谔方程电子能态半导体
- GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱能级结构设计与光谱分析被引量：10
- 2000年
- 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系 .欲使量子阱红外探测器的响应峰值在 8μm附近 ,则需量子阱结构中阱宽为 4 7nm ,垒中Al含量为 0 2 9.理论计算与测试结果符合得较好 .
- 李娜袁先漳李宁陆卫李志峰窦红飞沈学础金莉李宏伟周均铭黄绮
- 关键词：砷化镓能级结构光谱
