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聂超

作品数:8 被引量:3H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信医药卫生一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇氮化
  • 2篇单晶结构
  • 2篇氮化铝
  • 2篇立方晶系
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米线
  • 2篇晶系
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 1篇单克隆
  • 1篇单克隆抗体
  • 1篇氮化物
  • 1篇电特性
  • 1篇血清
  • 1篇阳性血清
  • 1篇阴极射线
  • 1篇阴极射线发光
  • 1篇增强型
  • 1篇同源建模

机构

  • 8篇南京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇聂超
  • 5篇谢自力
  • 5篇张荣
  • 4篇韩平
  • 4篇修向前
  • 4篇郑有炓
  • 3篇李弋
  • 3篇刘斌
  • 2篇胡立群
  • 2篇江若琏
  • 2篇赵红
  • 2篇刘启家
  • 2篇朱顺明
  • 2篇刘启佳
  • 2篇施毅
  • 2篇刘斌
  • 1篇陆海
  • 1篇吴稚伟
  • 1篇吴超
  • 1篇陈鹏

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇中国科学(E...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
HIV-1阳性血清抗体交叉反应
现有研究已经证明HIV-1阳性血清中存在中和抗体,少数血清甚至存在广谱中和抗体,这些抗体可以中和多种HIV-1毒株.本文用ELISA法检测三种HIV-1 GP120 V3多肽与阳性血清的反应,从而筛选交叉反应性血清.
刘忠聂超吴稚伟
关键词:HIV-1血清ELISA
文献传递
Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量:1
2008年
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。
吴超谢自力张荣张曾刘斌刘启佳聂超李弋韩平陈鹏陆海郑有炓
关键词:热退火表面形貌阴极射线发光
通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法
本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法,以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底,通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒,该方法简单实用,无需催化剂,在常压下即可进行,且生长的纳米线为六方晶系单晶...
谢自力张荣聂超刘启家刘斌李弋修向前韩平赵红江若琏施毅朱顺明胡立群郑有炓
文献传递
一维AlN纳米结构制备进展被引量:1
2007年
采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的阵列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米;用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时,AlN纳米线也已经在场致发射的研究领域得到应用。综述了AlN一维纳米结构材料的制备方法,分析研究了AlN一维纳米结构的合成反应机理和材料特性。
童麟谢自力修向前张琦聂超刘斌张荣
关键词:氮化铝
330nm A1GaN基共振增强型紫外线探测器的研究
近年来,Ⅲ族氮化物材料越来越受到人们的关注。由于Ⅲ族氮化物为直接带隙半导体材料,且具有独特的光电特性和优异的物理、化学特性使其在蓝、绿光发光二极管(LEDs)、紫外探测器(UC Photodetectors)和太阳能电池...
聂超
关键词:光电特性微腔器件
通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法
本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法,以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底,通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒,该方法简单实用,无需催化剂,在常压下即可进行,且生长的纳米线为六方晶系单晶...
谢自力张荣聂超刘启家刘斌李弋修向前韩平赵红江若琏施毅朱顺明胡立群郑有炓
文献传递
两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究被引量:1
2008年
研究了利用有机化学气相沉积外延方法在c面宝石(α-Al2O3)衬底上两步法外延生长的氮化铝薄膜.缓冲层采用氮化铝成核层.原位反射谱表明氮化铝成核过程有别于氮化镓缓冲层成核,在优化的条件下显示出单一晶面取向.同时,X射线衍射分析表明氮化铝初始成核过程中,缓冲层存在着压应变;随着成核时间的增加及退火,压应变逐渐得到驰豫.结合透射光谱分析发现,在外延层的生长过程中,较高的的V/III比能够提高氮化铝薄膜的晶体质量,但是生长速率下降,可能是由于三甲基铝与氨气的寄生反应加剧造成的;另外,对氮化铝外延层进行适度的Si掺杂能够在一定程度上改善薄膜表面形貌。
刘启佳张荣谢自力刘斌徐峰姚靖聂超修向前韩平郑有炓龚海梅
关键词:氮化铝MOCVD反射谱XRD透射光谱
HIV-1抑制剂DMBT1与gp120作用位点的研究
一些研究表明DMBT1在体外有抑制HIV-1侵染的活性,为了鉴定DMBT1的SRCR1结构域上与此活性有关的序列和结构,我们运用已知的SRCR家族的晶体结构进行SRCR1的同源建模,并把获得的SRCR1结构模型与结合了C...
聂超
关键词:同源建模单克隆抗体晶体结构
共1页<1>
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