范忠
- 作品数：21 被引量：34H指数：3
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 超声焊接在线监测研究
- 本文评论了几种超声焊接在线监测方法,说明了基本原理和给出了参考文献。文章后部介绍了我们在国产焊机上进行的试验和初步实验结果。
- 李琼范忠
- 文献传递
- 场发射阵列的热电模型
- 1997年
- 场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象，然后描述了一个放电损伤的热电模型，说明了造成损伤的材料量、能量、功率、时间范围和能量来源。根据这个模型，提出了对抗真空电弧可能采取的各种技术措施。
- 李琼陈春辉刘新福范忠丁艳芳徐静芳
- 关键词：场发射阵列真空电弧场致发射阴极
- 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4
- 1999年
- 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳
- 关键词：非晶金刚石薄膜
- 单片Si-FED的结构和设计被引量：1
- 2001年
- 根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。
- 范忠李琼徐静芳茅东升
- 关键词：场发射显示器干法刻蚀离子注入硅
- 新型MEMS集成技术-高频开关及其功能电路集成研究
- 郭方敏赖宗声朱自强朱守正范忠朱荣锦龙永福忻佩胜杨震魏华征郑莹初建朋陈薇萍王伟明虞献文
- 该课题为华东师范大学的几个研究成果有分析和设计了由一组电容式开关和一组电感串、并联形成的相位连续可调，毫米波多位开关阵微机械移相器；研制的MEMS毫米波（开关阵列）移相器，用中国科学院上海微系统和信息技术研究所的Casc...
- 关键词：
- 关键词：MEMSRF开关移相器
- 等离子体横向刻蚀硅的特性研究被引量：1
- 2002年
- 研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。
- 范忠赖宗声张文娟郭方敏
- 关键词：等离子体微电子机械系统掩模
- 压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜被引量：2
- 2003年
- 介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5～ 90°/ d B。
- 郭方敏朱自强赖宗声朱守正朱荣锦忻佩胜范忠贾铭程知群杨根庆
- 关键词：MEMS开关移相器铝硅合金
- 射频/微波MEMS器件研究
- 子机械系统(microelectromechanical system，简称MEMS)，是一项有广泛应用前景的新兴应用基础技术，是面向21世纪的信息技术核心之一。在无线通信领域中，正在进行研究开发的微机械元件有：微机械开...
- 赖宗声茅惠兵范忠石艳玲房惠霞
- 关键词：微电子机械系统微机械元件
- 硅的横向刻蚀技术研究被引量：2
- 2001年
- 研究了 SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对 Si O2 的选择性 ,主要通过改变 SF6气体流量和加入 O2 ,提高硅的横向刻蚀速率和对 Si O2 选择性。实验发现 ,加入 O2 能提高 SF6等离子对 Si的横向刻蚀速率和 Si/Si O2 的刻蚀速率比。Si的横向刻蚀速率最高可达 0 .45μm/min,Si/Si O2 的刻蚀比可达 50∶ 1。最后提出 ,在一定刻蚀条件下 ,可增加 Si O2 掩膜厚度 ,或用金属铝作掩膜来加大
- 范忠赖宗声秦元菊孔庆粤
- 关键词：MEMS等离子刻蚀硅
- 金刚石粉末淀积层的场发射性能研究
- 研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。
- 周江云李琼范忠诸玉坤徐静芳
- 关键词：场发射
