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李琼

作品数：51 被引量：73H指数：5
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 8篇专利
  • 6篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 8篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇经济管理
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学
  • 1篇艺术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 10篇显示器
  • 10篇场发射
  • 8篇场发射显示
  • 8篇场发射显示器
  • 7篇碳纳米管
  • 7篇纳米
  • 7篇纳米管
  • 7篇硅
  • 6篇金刚石薄膜
  • 5篇电子发射
  • 5篇冷阴极
  • 5篇场发射阵列
  • 4篇半导体
  • 3篇阳极
  • 3篇在线监测
  • 3篇真空微电子
  • 3篇丝网印刷
  • 3篇可靠性
  • 3篇发光
  • 3篇非晶

机构

  • 47篇华东师范大学
  • 11篇中国科学院上...
  • 9篇中国科学院

作者

  • 51篇李琼
  • 27篇徐静芳
  • 17篇柳襄怀
  • 14篇范忠
  • 13篇王曦
  • 9篇刘新福
  • 9篇冯涛
  • 8篇茅东升
  • 7篇诸玉坤
  • 6篇李炜
  • 6篇袁美英
  • 6篇周江云
  • 4篇汤世豪
  • 4篇薛臻
  • 4篇陈春辉
  • 3篇赵俊
  • 3篇郁可
  • 3篇朱自强
  • 2篇张继华
  • 2篇张宁

传媒

  • 7篇华东师范大学...
  • 4篇微细加工技术
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  • 2篇中国科学（E...
  • 2篇电子器件
  • 2篇第七届中国真...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇真空电子技术
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  • 1篇第二届全国纳...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 5篇1999
  • 3篇1998
  • 3篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 4篇1994
  • 2篇1993
  • 3篇1992
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
场发射阵列的热电模型
1997年
场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象，然后描述了一个放电损伤的热电模型，说明了造成损伤的材料量、能量、功率、时间范围和能量来源。根据这个模型，提出了对抗真空电弧可能采取的各种技术措施。
李琼陈春辉刘新福范忠丁艳芳徐静芳
关键词：场发射阵列真空电弧场致发射阴极
中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术
1991年
本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能.
李琼徐静芳林成鲁
关键词：SOI技术MOS器件激光退火SOI结构
金刚石粉末淀积层的场发射性能研究
研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。
周江云李琼范忠诸玉坤徐静芳
关键词：场发射
超浅硅N^+P结雪崩发射式冷阴极研究
1992年
本文介绍了硅超浅N^+P、结雪崩电子发射式真空微冷阴极的结构、工作原理以及用低能As离子注子形成结深浅于30 um的超浅N^+P结技术和简便的结深监测方法.并给出了这种冷阴极电子发射性能的实验结果.
薜臻李琼汤世豪袁美英徐静芳林成鲁张锻吴俊富
关键词：冷阴极
一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法
本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体...
冯涛王曦柳襄怀李琼
文献传递
类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11
2002年
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。
冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤
关键词：类金刚石薄膜场发射显示器
社会保险业务延伸街镇政策评估研究——以上海市闵行区为例
党的十八大报告明确提出了转变政府职能的目标:“要按照建立中国特色社会主义行政体制目标，深入推进政企分开、政资分开、政事分开、政社分开，建设职能科学、结构优化、廉洁高效、人民满意的服务型政府。”而社会保险经办服务体系的能力...
李琼
关键词：社会保险
国产半导体器件紫斑问题研究
李琼
关键词：半导体器件电子产品可靠性紫斑
场发射冷阴极的稳定性和可靠性研究被引量：3
1997年
讨论了清洁处理（ＣＰ）对ＦＥＣ电子发射的影响。实验结果表明，ＣＰ能有效激活长时间存放于恶劣环境的ＦＥＣ的电子发射；还研究了场热成形（ＦＨＦ）对提高ＦＥＣ电子发射稳定性和可靠性的作用。实验发现，正确选择阳极材料并进行必要的真空除气，对防止尖端由于真空电弧而造成的破坏有重要意义。ＦＨＦ对尖端表面的微观状态具有强烈的影响，具体表现在尖端表面有效功函数φ和尖端场增强因子β的改变上。经过ＣＰ和ＦＨＦ处理，得到了发射稳定、可靠性好的ＦＥＣ。
陈春辉李琼徐静芳刘新福薛臻
关键词：平板显示可靠性稳定性
一种宏观半导体材料性能的测试装置
本发明主要涉及一种宏观半导体材料性能的测试装置，可以用于观测宏观半导体材料在真空状态下的发光现象，以及测试它们在不同气体中的气敏特性，属于材料与器件技术领域。主要包括：真空室、进气导管、出气导管、内接导线、样品放置台、进...
张宁郁可李琼朱自强黄勇崔庆月
文献传递
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