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袁丽君

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇波导
  • 3篇波导结
  • 3篇波导结构
  • 2篇选区
  • 2篇阵列
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇金属
  • 2篇激光器阵列
  • 2篇硅波导
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇半导体激光器...
  • 1篇单模
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇挡墙

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇袁丽君
  • 6篇潘教青
  • 4篇于红艳
  • 4篇王圩
  • 3篇周旭亮
  • 2篇王宝军
  • 2篇阚强
  • 2篇任正良
  • 2篇王火雷
  • 1篇邵永波
  • 1篇周代兵
  • 1篇安欣
  • 1篇边静

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
用于气体传感系统的InGaAs-InGaAsP量子阱分布反馈激光器
近年来波长范围在1.6-2.1μm的近红外激光器引起了人们的广泛兴趣[1],工作于此波段的激光器因其发射波长与很多环境以及工业气体的吸收谱线相一致,可用作气体传感的光源,在环境污染和有毒气体检测,医药分析,工农业生产,健...
潘教青于红艳袁丽君王宝军周代兵边静安欣王圩
硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法
一种硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法，包括：在SOI片顶层硅层上制作取样光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度相同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，硅挡墙和金属层...
袁丽君于红艳周旭亮王火雷潘教青
文献传递
石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法
一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分...
任正良阚强袁丽君潘教青王圩
文献传递
改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
一种改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法，包括如下步骤：在SOI片顶层硅层上制作均匀光栅；在硅层上垂直于光栅的方向刻蚀出多个宽度不同的硅波导和两侧的硅挡墙；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，...
袁丽君于红艳周旭亮王火雷潘教青
文献传递
在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法
一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；在硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；在一衬...
于红艳周旭亮邵永波袁丽君王宝军潘教青王圩
文献传递
以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器
一种以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器，包括:底层硅、二氧化硅层、顶层硅，位于二氧化硅层之上，底层硅、二氧化硅层、顶层硅三层形成完整的SOI结构，该SOI结构的顶层硅上刻蚀形成硅波导、石墨烯覆盖层，覆盖于硅波导的一端...
任正良阚强袁丽君潘教青王圩
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