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用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究被引量：5: 2008年; 通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因,并讨论了抑制电流崩塌的办法.; 李若凡杨瑞霞武一宾张志国许娜颖马永强; 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌

进化计算在半导体器件仿真中的应用研究: 半导体器件仿真是器件设计中影响成品率和成本的至关重要的环节。而目前常用的仿真方法和仿真软件存在仿真时间较长、所需计算机内存较大的缺点，特别是在求解高维且强非线性的方程组时，很难获得其准确数值解。为此，引入进化计算方法，采...; 许娜颖; 关键词：进化计算半导体器件粒子群优化优化算法; 文献传递

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许娜颖