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赵北君

作品数:287 被引量:488H指数:12
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287 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
La_(1+ z)Ba_(2- z)Cu_3O_y 相的形成、固溶度及La对Ba的替代(英文)
1999年
对La1+ zBa2- zCu3Oy 相的形成、固溶度和La 对Ba 的替代进行了系统研究,以期获得制备具有更高Tc 的超导体的最佳条件.实验表明La1+ zBa2- zCu3Oy 在空气中固溶度为0.20~0.70,N2 中为0.在空气中合成La1+ zBa2- zCu3Oy 时,La 能替代Ba,但Ba并不能替代La,空气和O2有利于La 对Ba 的替代,但当在N2 中合成La1+ zBa2- zCu3Oy 时,La 对Ba的替代受到抑制.结果表明:在N2 中烧结和冷却是制备的具有更高Tc 的单相LaBa2Cu3Oy 超导体的关键步骤之一.
周晓敬胥江河朱世富赵北君陶丰车广灿
关键词:相形成固溶度超导体
CdSe单晶体的生长研究被引量:1
2000年
硒化镉 (CdSe)晶体有两种结构 ,一种是六方结构 ,6mm点群 ;另一种是立方结构 ,43m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体探测器材料。其能隙较大 (Eg =1 .75eV) ,电阻率较高 ( 1 0 12 Ω·cm) ,在室温高偏压下 ,漏电流很小 ,电子和空隙迁移率较大 ( μc=72 0cm2 /V·s,μh=75cm2 /V·s) ,电子俘获浓度大 (Nt=1 0 14 /cm3 ) ,电荷收集效率高 ,稳定性好 ,没有像在CdTe和HgI2 晶体中观测到的极化现象 ,力学、热学和化学稳定性能也优于HgI2 晶体。因此 ,CdSe晶体是一种有希望替代CdTe和HgI2 的室温核辐射探测器新材料 ,用其制作的探测器和各种谱仪可广泛用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。CdSe晶体熔点高达 1 2 39℃ ,在熔点附近平衡蒸汽压高达十几个大气压 ,因此其单晶体难以用常规的熔体法生长。我们采用水平气相输运法进行了CdSe单晶体生长试验 ,对其在不同温度和温度梯度下的结晶特性进行了研究 ,确定出生长六方CdSe单晶的较好工艺参量为 :源区蒸发温度 1 1 0 0℃ ,生长界面附近温度梯度为 6℃ /cm ,生长区与源区的距离大约为 1 2cm。在此条件下 ,生长出1 0× 1 2mm外观完整 ,有自然显露晶面的CdSe晶锭。
朱世富赵北君于丰亮李正辉李其峰邵双运朱兴华王学敏何苗林剑
关键词:晶体结构温度梯度
铜单晶的定向方法研究被引量:2
2011年
采用改进的垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体,报道了一种铜单晶定向的新方法。将生长出的铜晶锭在浓度为40%的硝酸溶液中浸蚀10 min左右,晶锭表面出现取向一致的反光面,用激光正反射法对其表面的反光面进行初步定向,再参照X射线衍射回摆谱对晶面进行修正,得到了铜晶体的(111)、(200)和(220)晶面,进而得到任意所需的晶面。该方法对于制作铜单晶器件具有重要参考价值。
唐世红赵北君朱世富肖怀安姚超何知宇陈宝军
关键词:铜单晶X射线衍射
CdSiP_2多晶提纯与单晶生长
2018年
采用重结晶技术,对CdSiP_2多晶进行快速下降提纯,以提纯后的晶锭为原料,利用改进的垂直布里奇曼法生长出CdSiP_2单晶体,尺寸达Φ18 mm×51 mm。经能量色散仪(EDS),X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)以及电感耦合等离子体光谱仪(ICP)测试表明,重结晶提纯能有效降低CdSiP_2多晶中Fe、Mn等影响晶体性能的微量元素含量,获得高纯四方黄铜矿结构的CdSiP_2多晶材料。采用X射线衍射仪和红外傅立叶变换分光光度计分别对生长的CdSiP_2单晶体自然解理面与厚度2 mm的CdSiP_2晶片进行测试,获得了{101}晶面族六级衍射峰,晶片在2~7μm波段范围的红外透过率高于53%,对应的吸收系数低于0.09 cm-1。上述研究结果表明,采用提纯后原料生长的CdSiP_2单晶体结晶性好,光学性能优良,可进一步用于制作CdSiP_2激光频率转换器件。
冯波赵北君何知宇陈宝军黄巍刘慧刘梦迪沙铭宇
关键词:提纯单晶生长ICP-AES
垂直气相提拉法生长硒化镉单晶体
硒化镉(CdSe)晶体是一种Ⅱ-Ⅵ宽禁带化合物半导体材料,具有优异的室温核辐射探测性能和非线性光学性质。它具有带隙宽、电阻率高、漏电流小、电子和空穴迁移率大、电子浮获浓度大、电荷收集效率高和稳定性好等突出优点,是一种有希...
赵北君
文献传递
CdSiP2晶体红外透过均匀性分析
CdSiP晶体是目前综合性能最好的中红外高功率激光频率转换新材料之一,其透明范围宽,非线性光线系数大,双折射大,热导率高,抗光损伤阈值高。特别是CdSiP2晶体可使用目前成熟的1.06μm-YAG激光泵浦输出4m以上激光...
林莉赵北君朱世富何知宇陈宝军孙宁黄巍杨登辉
关键词:光学均匀性退火热处理
文献传递
硒铟镓银晶体中二相沉淀物研究被引量:1
2013年
应用金相显微镜、能量色散谱仪、X射线衍射仪等对AgGa0.8In0.2Se2晶体中的二相沉淀物进行了观察、测试和分析,发现呈梭状的二相沉淀物存在明显Ag含量缺失。根据EDS测试结果和差热实验数据研究了消除该二相沉淀物的热处理方案,即在含有Ag2Se组分的AgGa0.8In0.2Se2多晶混合粉末包埋下,对AgGa0.8In0.2Se2晶体进行淬火处理。结果表明:用含有1.26wt%Ag2Se的同成分多晶混合粉末包埋,在720℃下保温120 h后经淬火处理的晶片,梭状二相沉淀物得到很好的消除,红外透过率得到显著提高。
赵玲赵北君朱世富陈宝军何知宇许建华吴莉姝沙铭雨王文阳
关键词:红外透过率X射线衍射分析
激光正反射法测定硒镓银晶体的取向被引量:1
1995年
本文提供一种测定硒镓银(AgGaSe_2)晶体取向的方法。它是基于用Bridgman方法生长的AgGaSe_2晶体表面气泡内的显露面对激光的反射来测量其取向。实验发现,这些显露面均属于{112}单形,而法线共有四个方向。因此,可以很方便地确定c轴。
张飙陈观雄朱世富李正辉赵北君刘军江洪安
关键词:非线性光学晶体晶体取向
CdGeAs2晶体的光学性质研究
CdGeAs2晶体是一种性能优异的三元Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族黄铜矿类半导体化合物。它具有非常优异的非线性光学性质,如极高的非线性光学系数(236pmV-1)、较宽的红外透过范围(2.3~18μm)以及相位匹配转换发生所必需的双折...
朱世富杜文娟赵北君何知宇李佳伟张顺如张熠
关键词:密度泛函理论光学性质
文献传递
CdSiP_2多晶杂相分析与合成工艺改进被引量:1
2012年
以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶。X射线衍射(XRD)分析及Rietveld全谱拟合精修结果表明合成产物中含有微量SiP和CdP2杂相,分析了杂相产生的原因。针对存在的问题改进合成工艺,引入高温熔体机械和温度振荡以及分步控温冷却等新工艺,获得了外观完整、内部致密均匀的CdSiP2多晶。XRD及能量色散谱仪(EDS)分析结果表明,合成产物为高纯单相CdSiP2多晶,为高质量单晶体的生长奠定了可靠基础。以改进工艺获得的CdSiP2多晶为原料生长出质量较好的单晶体,厚度为2 mm的晶片样品在1500~7000 cm-1范围内的红外透过率在45%以上,计算出晶体的禁带宽度为2.09 eV。
王小元朱世富赵北君陈宝军何知宇樊龙杨辉刘光耀
关键词:多晶合成红外透过率
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