陈兴国
- 作品数：13 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
- 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元...
- 叶振华黄建杨建荣尹文婷邢雯林春陈兴国胡晓宁丁瑞军何力
- 碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法。该方法涉及碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器的制备工艺，具体包括HgCdTe探测芯片碲化镉(CdTe)钝化膜选择性腐蚀液的配制以及利用该腐蚀液进行探测...
- 邓屹陈新强陈兴国林春叶振华胡晓宁
- 文献传递
- HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进被引量：7
- 2012年
- 在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层。在70～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长。根据需要,对各样本进行150～300℃各个温度下的后期退火处理。运用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)观测技术表征碲化镉钝化膜的形貌结构、成分分布、晶体质量。结果表明,加热环境下蒸发生长碲化镉钝化膜可以消除常规蒸发生长中的柱状多晶结构,显著提高钝化品质;后期的退火处理还能进一步提高钝化膜质量。
- 徐竟杰陈兴国周松敏魏彦锋林春杨建荣
- 关键词：碲化镉碲镉汞钝化二次离子质谱
- Hg_(1-x)Cd_xTe长波光伏探测器的低频噪声研究被引量：5
- 2005年
- 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因.并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM(reciprocalspacemapping)研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因.
- 孙涛梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨
- 关键词：HGCDTE光伏探测器倒易点阵暗电流
- Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的钝化研究被引量：1
- 2004年
- 用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能.
- 孙涛李言谨王庆学陈兴国胡晓宁何力
- 关键词：光伏探测器MCT晶面点阵E光
- HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究被引量：9
- 2005年
- 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,烘烤前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝化器件具有较大1f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(reciprocal spacemapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流和1f噪声的原因.经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1f噪声增加,而双层钝化器件经过高温烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1f噪声电流增加的原因.
- 孙涛陈兴国胡晓宁李言谨
- 关键词：HGCDTE光伏探测器噪声研究高分辨X射线衍射长波倒易点阵
- 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制被引量：9
- 2005年
- 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe +ZnS)钝化的两种光伏探测器 ,对器件的性能进行了测试 ,发现双层钝化的器件具有较好的性能 .通过理论计算 ,分析了器件的暗电流机制 ,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流 .通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响 ,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷 。
- 孙涛陈文桥梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨
- 关键词：HGCDTE光伏探测器钝化倒易点阵暗电流
- 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法
- 本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>)材料。SiO<Sub>2</Sub>掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜...
- 叶振华胡晓宁陈兴国丁瑞军何力
- 文献传递
- 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
- 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元...
- 叶振华黄建杨建荣尹文婷邢雯林春陈兴国胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能
- 2012年
- 采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.
- 李海滨林春陈兴国魏彦峰徐竟杰何力
- 关键词：伏安特性表面处理工艺
