李言谨
- 作品数：127 被引量：201H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金江苏省教委自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程环境科学与工程更多>>
- 一种焦平面探测器读出信号的数字信号处理方法
- 本发明公开了一种对焦平面读出信号进行去噪声的方法，首先，根据焦平面探测器读出信号中的噪声组成及特点，对读出信号进行小波分解，小波分解将探测器读出信号分解成各个能量不同的频带，然后根据信号中的噪声特点，对各层分解得到的系数...
- 景为平殷晓敏丁俊民顾勇鲁华祥李言谨
- 一种带加热退火的杜瓦瓶装置
- 一种带加热退火的杜瓦瓶装置,由外壳体、内胆、加热器三部分组成。外壳体和内胆构成中间夹层的杜瓦瓶。外壳体侧壁带有抽气口,底部置有红外窗口。与红外窗口对着的内胆底圆为冷头,冷头上置有样品。当需对样品加热退火时,在内胆中插入加...
- 王琼朱三根胡晓宁赵军李言谨
- 文献传递
- 基于弛豫铁电单晶的红外热释电探测器研究被引量：2
- 2012年
- 研究了新型热释电材料驰豫铁电单晶(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMNT)的低损伤减薄工艺、电极成型和耦合封装等关键技术,研制了基于PMNT的单元热释电探测器。对减薄后约30μm晶片材料性能的测试分析表明,部分样品的热释电系数约为9.0×10-4 C/m2 K,无明显衰减。采用低噪声电路提取单元探测器的微弱热释电电流,对所研制的单元探测器性能进行了测试分析。
- 马学亮邵秀梅于月华李言谨
- 关键词：红外热释电探测器非制冷
- HgCdTe光导及扫积型器件的瞬态响应被引量：3
- 1992年
- 从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,扫积型器件的衰退过程近似矩形.由衰退过程曲线可以确定过剩载流子的双极迁移率.
- 李言谨朱龙源方家熊
- 关键词：载流子瞬态响应HGCDTE
- n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心
- 1996年
- 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式。
- 周洁封松林卢励吾司承才李言谨胡晓宁
- 关键词：深能级瞬态谱HGCDTE
- 红外探测器低温前放组件杜瓦
- 本实用新型提供了一种在真空腔内可以安装低温前放电路组件且可控温的多工位工作的多元红外探测器低温前放组件杜瓦。包括杜瓦内胆外结构、温控机构、冷屏、杜瓦内胆的内结构、窗口、电极引线、杜瓦外壳;可确保六块低温电路模块工作在其最...
- 康荔学方家熊李言谨邱惠国唐军陈新禹严静
- 文献传递
- HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析
- 2004年
- HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层。
- 孙涛王庆学陈文桥梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨何力
- 关键词：HGCDTE光伏探测器应力钝化
- MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响被引量：2
- 2001年
- 根据金属 -碲镉汞接触的基本电流 -电压关系 ,深入讨论了金属 -半导体 (MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件 I- V特性的影响 ,并对实际器件的测量数据进行了分析比较 .
- 胡晓宁李言谨方家熊
- 关键词：I-V特性红外焦平面器件输运特性
- 航天先进红外探测器组件技术及应用被引量：29
- 2012年
- 随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。文中从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等4个方面,介绍了中国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。
- 龚海梅邵秀梅李向阳李言谨张永刚张燕刘大福王小坤李雪方家熊
- 关键词：红外探测器HGCDTEINGAAS航天应用
- 红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔技术
- 本发明公开了一种红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔技术，该技术采用金属的在交变电磁场中的感应电流实现铟柱的熔融，在熔融铟柱的同时不加热碲镉汞材料，这既提高了互连强度又避免了碲镉汞芯片因高温而性能退化，很好的解决了焦平面工艺...
- 张海燕胡晓宁李言谨何力龚海梅张勤耀
- 文献传递
