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方家熊: 作品数：238 被引量：374H指数：10; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省教委自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

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光谱传感物联网节点的无线通信接口设计被引量：1: 2017年; 根据近红外光谱数据的格式和特点,设计一种光谱传感物联网节点的无线通信接口,实现近红外光谱数据从物联网节点到电脑上位机的无线传输。主要进行了无线通信接口的硬件电路和软件程序设计,使用C#语言编写了接收端上位机,并借助单色仪进行了功能验证。实验结果表明,该无线通信接口的传输速率和通信距离可以满足物联网节点的近红外光谱数据传输应用需求,物联网节点一帧光谱数据的采集和传输时间小于1秒,总体功耗小于300 mW,最大通信距离大于150米,具有微型化和低功耗的特点。; 王绪泉黄松垒于月华叶捷敏邵秀梅方家熊; 关键词：物联网近红外无线通信微型化

新型热释电材料及其在红外探测器中的应用被引量：7: 2011年; 以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28PbTiO3[PIMNT(42/30/28)]单晶的介电性能、铁电性能和热释电性能。掺杂后PMNT(74/26)单晶的介电损耗降低到0.000 5,探测优值提高到40.2×10-5 Pa-1/2,是目前所有三方四方相变温度(TRT)高于90°C的本征热释电材料中最高的。高居里温度PIMNT(42/30/28)单晶的TRT达到152°C,且具有较高的探测优值(10.2×10-5 Pa-1/2),将在更宽温度范围内得到广泛的应用。制作了基于掺锰PMNT(74/26)单晶的单元探头,其比探测率D*达到1.07×109 cmHz1/2W-1,是目前商用LiTaO3探测器的两倍,器件性能满足实用要求。; 刘林华罗豪甦吴啸赵祥永方家熊李言瑾邵秀梅景为平; 关键词：热释电红外探测器

一种基于TDC‑GPX的时间数字转换装置及其工作方法: 本发明涉及一种基于TDC‑GPX的时间数字转换装置及其工作方法。该装置包括依次连接的TDC‑GPX芯片、CYUSB3014芯片和实现人机交互的电脑；CYUSB3014芯片通过GPIFII端口与TDC‑GPX芯片通信。本发...; 张庭发刘俊良李永富王莹方家熊

一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器: 本发明公开了一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底、N型InP层、氮化硅钝化层、InGaAs吸收层、P型InP帽层、P电极区、中心波长在λ<Sub>1</Sub>的Si/SiO<Sub>2</S...; 李雪唐恒敬方家熊龚海梅段微波刘定权张永刚; 文献传递

质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究: 1999年; 用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－ｐ型短波与中波光伏器件．其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ，黑体探测率达２．３ｘ１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率为２８％，其中Ｒ０Ａ达１５７·ｃＭ２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频（＜３００Ｈｚ）时主要由１／ｆ噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制。对辐照前后材料和器件的截止波长变化亦作出了初步解释。短波器件的电流电压特性表明器件在室温可承受１５Ｖ的反向偏压。; 胡新文李向阳赵军陆慧庆龚海梅方家熊; 关键词：质子辐照碲镉汞光电二极管红外探测器

HgCdTe光导及扫积型器件的瞬态响应被引量：3: 1992年; 从理论和实验上分析了HgCdTe光导(PC)及扫积型(SPRITE)器件的瞬态衰退过程,结果表明在高偏置电场下,光导器件的衰退过程近似线性,扫积型器件的衰退过程近似矩形.由衰退过程曲线可以确定过剩载流子的双极迁移率.; 李言谨朱龙源方家熊; 关键词：载流子瞬态响应 HGCDTE

长波大面积HgCdTe光导红外探测器的研究被引量：1: 1992年; 研制的长波大面积HgCdTe光导红外探测器的面积为2.1×2.1mm^2,在80K时探测率D_p~*=1.86×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1),响应率R_p=386VW^(-1),长波限λ_(co)(50%)>18μm.还研制了带有低温聚光器组合件结构的新型探测器,D_p~*=7.3×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1),λ_(co)(50%)>16μm.; 王子孟方家熊司承才胡亚春马家骊; 关键词：HGCDTE 聚光器红外探测器

低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响被引量：6: 2005年; 利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。; 亢勇李雪肖继荣靳秀芳李向阳龚海梅方家熊; 关键词：GAN 伏安特性退火肖特基势垒

一种64×1 CTIA读出电路: 读出电路是焦平面器件的重要组成部分,在与探测器互连之前对读出电路进行测试和筛选以确保焦平面的优异性能。介绍了HL064读出电路的简要原理、工作方式及其驱动脉冲。将读出电路芯片用硅铝丝键压连接入28脚双列直插式管壳中,用P...; 徐运华张松谢文青亢勇李雪方家熊黄剑锋李兴仁; 关键词：读出电路 CTIA; 文献传递