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陈兴国

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 1篇探测器
  • 1篇磷化铟
  • 1篇集成光学
  • 1篇集成光学器件
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇光学
  • 1篇光学器件
  • 1篇复用
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INP
  • 1篇波长
  • 1篇波导
  • 1篇波分
  • 1篇波分复用

机构

  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇陈兴国
  • 2篇程宗权
  • 2篇朱祖华
  • 2篇王惠民
  • 2篇杨易
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇陈抗生
  • 1篇施惠英
  • 1篇赵春华
  • 1篇王晨
  • 1篇吕章德
  • 1篇蒋惠英
  • 1篇胡征
  • 1篇吴学海

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
杨易陈兴国程宗权王惠民吕章德蒋惠英王晨施惠英吴学海朱祖华胡征
关键词：磷化铟光电探测器单片集成
InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件被引量：1
1998年
报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件，器件刻蚀在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平板波导上，通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离，光的输入输出耦合由波导阵列来完成，器件的工作波长在１．５μｍ附近，通道间隔约４．３ｎｍ，本文给出了器件的设计方法、制作工艺和初步测试结果。
赵春华朱祖华陈抗生杨易王惠民程宗权陈兴国胡雄伟
关键词：集成光学器件波分复用
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