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王惠民

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇探测器
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 1篇性能比较
  • 1篇性能分析
  • 1篇氧分压
  • 1篇氧化钛
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束增强沉...
  • 1篇磷化铟
  • 1篇集成光学
  • 1篇集成光学器件
  • 1篇光学
  • 1篇光学器件
  • 1篇复用
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇王惠民
  • 3篇程宗权
  • 2篇陈兴国
  • 2篇朱祖华
  • 2篇杨易
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇郑志宏
  • 1篇陈抗生
  • 1篇施惠英
  • 1篇胡维央
  • 1篇赵春华
  • 1篇王晨
  • 1篇吕章德
  • 1篇陈莉芝
  • 1篇蒋惠英
  • 1篇李昌荣
  • 1篇柳襄怀
  • 1篇张峰
  • 1篇王向晖
  • 1篇胡征

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇全国第三次光...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1986
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
杨易陈兴国程宗权王惠民吕章德蒋惠英王晨施惠英吴学海朱祖华胡征
关键词：磷化铟光电探测器单片集成
InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件被引量：1
1998年
报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件，器件刻蚀在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平板波导上，通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离，光的输入输出耦合由波导阵列来完成，器件的工作波长在１．５μｍ附近，通道间隔约４．３ｎｍ，本文给出了器件的设计方法、制作工艺和初步测试结果。
赵春华朱祖华陈抗生杨易王惠民程宗权陈兴国胡雄伟
关键词：集成光学器件波分复用
InGaAs PIN光电探测器的结构设计和性能比较
胡维央程宗权王惠民
关键词：光电探测器性能分析半导体器件
氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响被引量：6
2001年
采用离子束增强沉积的方法，改变氧分压，在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的 氧化钛薄膜。采用 XRD，掠角衍射以及 XPS分析方法对薄膜的成分、结构和取向进行了分析，并 通过 RBS分析计算出了薄膜的 O/Ti比。实验结果发现，所制备的氧化钛薄膜为具有一定择优取 向的多晶膜，薄膜内 TiO、 Ti2O3和 TiO2共同存在。当氧分压低于 8.4× 10-4 Pa时，氧化钛薄膜的 成分以 TiO为主，且 TiO的取向随氧分压的增加从（ 220）向（ 031）转变，氧分压对薄膜取向的影响 较大。当氧分压高于 8.6× 10-4 Pa时，氧化钛薄膜的成分以具有（ 100）择优取向的金红石型 TiO2 为主，含有少量其他结构的 TiO2和低价 Ti，其成分及取向相对较为稳定，对氧分压的变化不敏感。
王向晖张峰李昌荣郑志宏陈莉芝王惠民柳襄怀
关键词：氧化钛离子束增强沉积氧分压
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