陈厦平
- 作品数：31 被引量：21H指数：3
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金厦门市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种具有信息存储功能的生物可降解忆阻器阵列及制备方法
- 一种具有信息存储功能的生物可降解忆阻器阵列及制备方法，涉及柔性电子器件。忆阻器阵列为垂直四层网状结构，自上而下依次设有上电级阵列、介质层、下电极阵列、柔性丝素蛋白膜基底；上电极阵列为条状金属电极阵列；介质层为由上下两层可...
- 郭文熹刘镓榕陈厦平李胜优
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- 4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究
- 本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间...
- 蔡加法陈厦平洪荣墩吴正云
- 关键词：紫外光电探测器电容特性电压特性碳化硅材料
- 文献传递
- 4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
- 2011年
- 利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
- 郑云哲林冰金张明昆蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：光电子学温度特性光电特性
- 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
- 2011年
- 应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。
- 钟林瑛洪荣墩林伯金蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：APD光谱响应探测率
- 不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究被引量：4
- 2005年
- 采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差; Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11。
- 杨克勤陈厦平杨伟锋孔令民蔡加法林雪娇吴正云
- 关键词：光电子学4H-SIC退火
- 具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备
- 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P<Sup>+</Sup>层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P<Sup>+</Sup>层刻蚀到达吸收层...
- 张峰付钊洪荣墩蔡加法陈厦平林鼎渠吴少雄吴正云
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- 一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法
- 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光...
- 吴正云朱会丽陈厦平张峰
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- 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法
- 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测...
- 吴正云朱会丽陈厦平
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- 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法
- 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测...
- 吴正云朱会丽陈厦平
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- 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法
- 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N<Sup>+</Sup>型4H-SiC衬底，在N<Sup>+</Sup>型4H-SiC衬底上依次设有第一N<Sup>-</Sup>型...
- 洪荣墩张明昆吴正云蔡加法陈厦平
