洪荣墩
- 作品数：26 被引量：3H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 具有球冠结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备方法
- 具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备方法，紫外光电探测器采用p‑i‑n结构，在高掺杂偏轴4°的双抛N<Sup>+</Sup>型4H‑SiC衬底上，依次生长N型缓冲层和i型吸收层，在i型吸收层形成弧形倾斜台面，形...
- 洪荣墩吴俊慷吴正云
- 一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器
- 一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器，涉及半导体光电探测器。设有衬底，在衬底上依次设有同质的第一N型外延缓冲层、N<Sup>‑</Sup>型外延吸收层、第二N型外延倍增层和P<Sup>+</Sup>型欧姆接触层；...
- 洪荣墩吴正云林鼎渠张志威孙存志
- 文献传递
- 具有埋层结构的碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备
- 具有埋层结构的碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备，涉及紫外光电探测器。设有碳化硅高掺杂n+型衬底，在n+型衬底的硅面上外延同质的碳化硅n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层，在n‑型吸收层中...
- 洪荣墩刘佳张峰付钊张国良刘庚姚亮刘颖
- 背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备
- 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N<Sup>+</Sup>型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P<Su...
- 付钊张峰洪荣墩蔡加法陈厦平林鼎渠吴少雄吴正云
- 文献传递
- 一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法
- 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件...
- 林鼎渠吴正云洪荣墩孙存志张志威
- 文献传递
- 对基于磁控溅射方法沉积的HfO2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究（英文）
- 2018年
- 本文基于磁控溅射方法,功率从160W增加到240W,在石英衬底上沉积氧化铪薄膜(HfO2),并对沉积后的薄膜进行退火处理.利用X射线衍射谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外透射谱和椭圆偏振仪对HfO2薄膜进行研究,对比了退火前后HfO2薄膜的光学特性及薄膜结构的变化.实验结果显示,HfO2薄膜对波长大于200nm的入射光具有很低的吸收系数.优化退火温度和时间,可以将沉积后的HfO2薄膜从非晶态转化成多晶态.退火有助于结晶生成和内应力的增加,同时退火可以优化薄膜的化学计量比,提升薄膜的光学密度及折射率.对功率在220W左右沉积的薄膜进行退火,获得的HfO2薄膜具有较高并且稳定的光学折射率(>2)和紫外光透射率,可在紫外波段减反膜系统中得到应用.
- 孙存志洪荣墩洪荣墩蔡加法吴正云
- 关键词：光学材料溅射X射线衍射
- 具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备
- 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P<Sup>+</Sup>层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P<Sup>+</Sup>层刻蚀到达吸收层...
- 张峰付钊洪荣墩蔡加法陈厦平林鼎渠吴少雄吴正云
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- 激光干涉光刻法制备二氧化硅光子晶体抗反射膜被引量：2
- 2014年
- 为了研究制备二氧化硅(SiO2)光子晶体抗反射膜,采用激光干涉光刻法与电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术制备进行实验。激光干涉光刻法可实现灵活、快速制备大面积周期纳米结构,而ICP刻蚀具有良好的各向异性,扫描电子显微镜的图片(SEM)表明两种实验工艺制备的SiO2光子晶体形貌良好。通过自制的测量平台,实现测量不同入射角度的入射光对光子晶体的透过率,测量结果说明了光子晶体对1170nm的入射光有较好的增透效果。有效折射率可以解释光子晶体在响应波长处增透减反的成因。SiO2光子晶体的成功制备在工艺与理论上为以后应用于光电器件的抗反射膜提供了参考。
- 陈辰钟金祥洪荣墩
- 关键词：非线性光学光子晶体ICP
- 4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究
- 本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间...
- 蔡加法陈厦平洪荣墩吴正云
- 关键词：紫外光电探测器电容特性电压特性碳化硅材料
- 文献传递
- 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
- 2011年
- 应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。
- 钟林瑛洪荣墩林伯金蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：APD光谱响应探测率
