陈庆连
- 作品数：6 被引量：14H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学机械与汽车工程学院更多>>
- 发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 反应磁控溅射制备VO<,2>薄膜及表面特征研究
- VO<,2>相变前后的光学开关特性可以应用在“智能窗”上，如何实现这一应用具有重要研究价值。本论文详细讨论了三种主要钒氧化物的一些重要特性，并结合反应磁控溅射的基本原理、反应过程及沉膜机理，设计了实验方案，并制备了16个...
- 陈庆连
- 关键词：反应磁控溅射工艺参数氧化钒相变
- 文献传递
- 影响反应磁控溅射法制备VO2薄膜的各种因素
- VO因在室温附近发生相变,相变前后有显著的光电开关特性,而备受关注。目前制备VO膜有许多方法,但比较理想的方法是采用磁控溅射法。但因V-O价态结构复杂,许多氧化钒的形成条件又比较相近,想制备高质量的VO薄膜,必须严格控制...
- 陈长琦陈庆连王君方应翠王旭迪
- 关键词：反应磁控溅射VO2氧化钒工艺参数
- 文献传递
- DC反应磁控溅射制备VO_2薄膜及XPS分析被引量：6
- 2005年
- 文章通过改变玻璃基温度和靶基间距,采用m(O2)/m(A r)为1∶12.5,溅射功率为190 W,工作真空度为2.2 Pa,用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜,并经真空退火处理,制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分。测试分析结果表明,基片温度在室温或超过350℃,易于生成VO2薄膜,真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷,提高V与O的化学计量比。
- 陈庆连陈长琦王君方应翠王旭迪
- 关键词：反应磁控溅射工艺参数VO2薄膜XPS分析
- 直流反应磁控溅射法制备VO_2薄膜被引量：5
- 2008年
- VO2是一种相变材料。发生相变时,VO2的电阻、透过率、反射率都会发生显著的变化;反应磁控溅射法是制备VO2薄膜的一种比较理想的方法。文中,重点讨论氧氩气质量流量比m(O2)/m(Ar)、基片温度以及沉积后薄膜的退火处理对制备薄膜成分、结构和性能的影响。通过分析得出m(O2)/m(Ar)比在1∶13和1∶12间具有较高的VO2含量;基片温度在250℃时具有较佳的VO2结晶特性;450℃保持2 h的真空退火处理可以改变薄膜成分和结构,使高价的V2O5薄膜还原到四价的VO2,且明显减少薄膜的氧缺陷,提高氧原子的含量,减少空洞,增加晶粒尺寸提高膜的致密度。
- 陈长琦王君陈庆连方应翠王旭迪
- 关键词：反应磁控溅射二氧化钒
- VO_2的MIT特性及应用机理被引量：2
- 2005年
- 本文主要讨论了VO2薄膜的相变温度和相变过程的光电、热致回线宽度的特性,同时分析了对这些特性的主要影响因素,并探讨了VO2薄膜在目前可使用器件中的应用机理。
- 陈长琦陈庆连王君方应翠王旭迪
- 关键词：VO2相变热致变色材料VO2薄膜MIT相变过程相变温度
- 影响反应磁控溅射制备VO2薄膜的各种因素
- VO2因在室温附近发生相变,相变前后有显著的光电开关特性,而备受关注。目前制备VO2 膜有许多方法,但比较理想的方法是采用磁控溅射法。但因V-O价态结构复杂,许多氧化钒的形成条件又比较相近,想制备高质量的VO2薄膜,必须...
- 陈庆连陈长琦方应翠王君王旭迪
- 关键词：反应磁控溅射氧化钒工艺参数
- 文献传递
