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马青松

作品数：6 被引量：64H指数：4
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系无机非金属材料研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省151人才工程更多>>
相关领域：化学工程理学电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇气相沉积
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 3篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇氧氮玻璃
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇改性
  • 1篇氮化
  • 1篇电性能
  • 1篇制备及性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇体积电阻
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇微观结构
  • 1篇NH
  • 1篇SIH
  • 1篇硅
  • 1篇APCVD

机构

  • 6篇浙江大学

作者

  • 6篇马青松
  • 5篇杨辉
  • 5篇葛曼珍
  • 2篇余京松
  • 1篇钱晓倩
  • 1篇江仲华
  • 1篇丁新更

传媒

  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国陶瓷工业
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 1篇1998
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
CVD法氮化硅薄膜制备及性能被引量：48
1998年
氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优秀的光电性能、钝化性能和机械性能，将在微电子、光电和材料表面改性领域获得广泛应用。本文着重评述了制备氮化硅薄膜的几种化学气相沉积方法和一些性能。
杨辉马青松葛曼珍
关键词：氮化硅薄膜化学气相沉积
APCVD法制备氧氮玻璃薄膜及其工艺.结构和性能的研究
马青松
关键词：氧氮玻璃常压化学气相沉积热稳定性表面改性表面形貌
常压CVD法制备Si-N-O薄膜及其电性能被引量：1
1999年
本文利用常压ＣＶＤ设备在较低温度（＜７００℃）下制备得到了Ｓｉ－Ｎ－Ｏ薄膜，探讨了反应温度、反应时间、ＮＨ３中杂质水汽对薄膜生成的影响。
葛曼珍马青松杨辉吴福静
关键词：化学气相沉积体积电阻电性能
APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构被引量：4
2000年
以SiH4和NH3作为反应气体,用常压化学气相沉积(APCVD)法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明:在660℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态,氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界面有熔焊现象,结合牢固。
杨辉丁新更孟祥森马青松葛曼珍
关键词：化学气相沉积氮化硅薄膜微观结构
氮化硅薄膜的制备技术被引量：7
1999年
氮化硅薄膜是一种重要的精细陶瓷薄膜材料，具有优秀的光电性能、钝化性能、稳定性能和机械性能，在微电子、光电和材料表面改性等领域有着广阔的应用前景。本文综述了几种制备氮化硅薄膜的方法。
余京松马青松葛曼珍杨辉杨辉
关键词：氮化硅陶瓷
APCVD法SiH_4-NH_3-CO_2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究被引量：8
1999年
在６６０℃下以ＳｉＨ４－ＮＨ３－ＣＯ２作为反应气体利用常压ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜．此温度比文献报道的ＡＰＣＶＤ法低２００℃以上，有效地降低了沉积温度．实验发现ＮＨ３中水汽对沉积反应的显著影响．初步研究表明：运用ＡＰＣＶＤ法将这种薄膜应用于普通钠钙硅玻璃的表面改性。
余京松钱晓倩马青松马青松葛曼珍杨辉
关键词：氧氮玻璃改性
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