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余京松

作品数：21 被引量：76H指数：5
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
相关领域：化学工程经济管理理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇化学工程
  • 4篇经济管理
  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇气体
  • 5篇硅烷
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硅
  • 4篇SIH
  • 3篇气体市场
  • 3篇工业气体
  • 3篇纯度
  • 2篇氮气
  • 2篇电子气体
  • 2篇载体填料
  • 2篇陶瓷
  • 2篇填料
  • 2篇气相沉积
  • 2篇晶体
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶体
  • 2篇非晶硅

机构

  • 20篇浙江大学
  • 3篇光明化工研究...
  • 2篇西南化工研究...
  • 2篇中昊光明化工...
  • 1篇浙江工程学院
  • 1篇化工部
  • 1篇杭州新世纪混...

作者

  • 20篇余京松
  • 7篇沃银花
  • 4篇梁国仑
  • 3篇杨辉
  • 3篇葛曼珍
  • 2篇姚奎鸿
  • 2篇林玉瓶
  • 2篇马青松
  • 2篇王少楠
  • 2篇张焕林
  • 2篇周晓茹
  • 1篇孟祥森
  • 1篇韩高荣
  • 1篇黄平
  • 1篇宋晨路
  • 1篇田波
  • 1篇田波
  • 1篇胡晨展
  • 1篇钱晓倩
  • 1篇张溪文

传媒

  • 11篇低温与特气
  • 2篇半导体技术
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国陶瓷工业
  • 1篇建筑材料学报
  • 1篇全国特种气体...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 7篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1994
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
乙硅烷的制备被引量：4
2013年
概述了乙硅烷的制备方法并对各种方法进行了评价。
余京松沃银花
国外电子气体技术进展被引量：12
2001年
论述了集成电路技术的发展对电子气体质量提出的更为刻苛的要求。介绍了一些相关新设备、新仪器以及新品种电子气体的应用。
梁国仑余京松
关键词：电子气体集成电路气体分析仪
SiH_4,Si_2H_6的制备与分离被引量：5
2001年
用 Mg2 Si制备 Si H4必然伴随产生 Si2 H6 。经二级低温冷凝 ,分子筛吸附和恒温恒压汽化等工艺技术过程 ,能够对两种气体进行最有效的分离。并且可以制备 Si2 H6 和总杂质含量≤ 10× 10 - 6 ,基磷 <0 .2× 10 - 9,基硼 <0 .0 5×10 - 9的高纯
余京松田波
关键词：甲硅烷分子筛
乙烯含量对CVD法硅镀膜玻璃结构和性能的影响被引量：5
1999年
对采用化学气相沉积法（ＣＶＤ法）制备的硅镀膜玻璃组成、结构、光学性能、化学稳定性等方面作了系统研究，发现随着反应气中乙烯与硅烷的体积比由０．２增大到１．３，薄膜组成中碳化硅含量增加，结晶数目和结晶程度增高，薄膜透过率提高，耐碱性提高．结果表明：在反应温度６３０°Ｃ，ＳｉＨ４体积分数１０％左右，Ｃ２Ｈ４与ＳｉＨ４的体积比为０．５，反应混合气流量为４００ｍＬ／ｍｉｎ的工艺条件下制备得到的镀膜玻璃具有Ｓｉ／ＳｉＣ纳米镶嵌复合结构、良好的遮阳性能和外观、较好的化学稳定性，达到了实际应用的要求．
朱懿余京松韩高荣汤兆胜张溪文杜丕一
关键词：碳化硅镀膜玻璃化学气相沉积乙烯
对国内硅烷生产的几点看法被引量：11
2009年
阐述了国内硅烷的生产现状、所采用的技术路线以及在引进国外技术方面所面临的问题。对硅化镁法生产硅烷的工艺过程中比较突出的几个问题如氨的回收,杂质水、氢和碳氢化合物等谈了自己的看法和处理意见。
余京松沃银花张金波
关键词：硅烷多晶硅非晶硅太阳能电池
一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备
一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备，其特征是硅烷和氨气的气相化学反应是在立式双温区流态反应器3中进行，该反应器流态床底部设有不锈钢制造的分配板31，载体填料32是粒度为0.1～0.5mm的硅晶体，床层外部设有主加热器3...
姚奎鸿周晓茹张焕林林玉瓶余京松沃银花
文献传递
SiH_4、N_2二元混合气在低O_2态下的潜在危险性被引量：1
2004年
通常硅烷与氧很难共存,人们也决不会贸然在硅烷气体中作掺氧试验。一次偶然的机会,我们做配制SiH4与N2二元混合气的实验,事后发现所用N2中含氧量为4 2%(体积分数)。由此我们知道这种处于亚稳状态的硅烷混合气其潜在的危险非常之大。
沃银花王少楠余京松
关键词：硅烷氮气SIH4N2
硅烷在现代科技中的地位被引量：5
1998年
评述了硅烷在现代科技中应用的发展，介绍了硅烷在各个领域的应用，指出以更高的纯度、更低的成本、更大量地生产硅烷，充分发挥硅烷的特长，探索更广泛和独特的应用，制造无数优异的功能材料，２１世纪硅烷应用的前景将十分广阔。
胡晨展余京松姚奎鸿
关键词：硅烷化学气相沉积硅非晶硅
低温APCVD法制备氮化硅薄膜被引量：16
1999年
本实验用常压化学气相沉积法（ ＡＰＣＶＤ） 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在７００ ℃以下，ＮＨ３／ＳｉＨ４ 流量比例为１５／１ 时制得较纯的氮化硅薄膜，比常规ＡＰＣＶＤ 法制备温度低大约１５０ ℃。
孟祥森宋晨路余京松葛曼珍杨辉
关键词：氮化硅APCVD陶瓷薄膜
高纯气体与包装
1994年
高纯气体与包装余京松，黄平，沃银花（浙江大学材料系杭州玉泉３１００２７）０前言无论发达国家还是我国，高纯气体都已经成为工业和科学实验必不可少的基础材料。凡属气体．人们都有能力通过一定的技术途径将其提纯而成为高纯气体。但是，应该指出，高纯气体的在线生产...
余京松黄平沃银花
关键词：气体高纯气体
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