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非聚焦电子束照射SiO_2薄膜带电效应被引量：5: 2012年; 采用考虑电子散射、俘获、输运和自洽场的三维数值模型,模拟了低能非聚焦电子束照射接地SiO_2薄膜的带电效应.结果表明,由于电子的迁移和扩散,电子会渡越散射区域产生负空间电荷分布.空间电荷呈现在散射区域内为正,区域外为负的交替分布特性.对于薄膜负带电,电子会输运至导电衬底形成泄漏电流,其暂态过程随泄漏电流的增加趋于平衡.而正带电暂态过程随返回二次电子的增多而趋于平衡.在平衡态时,负带电表面电位随薄膜厚度、陷阱密度的增大而降低,随电子迁移率、薄膜介电常数的增大而升高;而正带电表面电位受它们影响较小.; 李维勤张海波鲁君; 关键词：二氧化硅薄膜电子束照射空间电荷

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鲁君