万宁
- 作品数：10 被引量：25H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究被引量：1
- 2013年
- 为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了PHEMT栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律,分析参数随时间的退化规律,得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理,并基于栅电流参数退化模型,得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例.
- 万宁郭春生张燕峰熊聪马卫东石磊李睿冯士维
- 关键词：PHEMT栅电流肖特基接触
- 基于反应动力学的GaN LED参数退化模型的研究被引量：6
- 2013年
- 加速实验中,参数退化模型描述了参数的退化规律,参数退化规律对应于器件退化机理,而退化机理又对应于内部的物理化学反应.因此,本文基于反应动力学中物理化学反应的温度效应速率模型及反应量浓度随时间的变化规律,研究并建立了GaN LED参数退化模型.本模型尝试从物理机理上解释参数退化过程中的退化规律,包括单调上升或单调下降退化规律、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化规律,解决了实验后拟合方法不能建立非单调退化模型的问题.然后对GaN LED进行加速实验,确定模型参数.同时对GaN LED的退化规律进行分解,并且量化了GaN LED两种退化规律的退化比例及时间常数.
- 郭春生张燕峰万宁李睿朱慧冯士维
- 关键词：反应动力学GANLED
- 恒定温度应力加速实验失效机理一致性快速判别方法被引量：17
- 2013年
- 针对加速实验中因失效机理发生改变而导致的无效实验问题,对失效机理一致性和分别在不同应力下器件的初期退化参数分布的关系进行了研究.研究证明了判断加速实验失效机理一致的条件:1)不同应力下失效分布的形状参数服从一致,即mi=m,i=1,2,3,···,2)尺度参数ηi服从ηi=AFi·η.从而提供一种在实验初期即可根据参数退化分布快速判别不同应力下失效机理是否一致的方法,避免了因失效机理发生改变而造成的无效加速实验.最后对加速实验初期理论退化数据和多芯片组件厚膜电阻初期退化数据进行了威布尔分布参数估计,并对其在不同应力下的失效机理一致性进行了判别.
- 郭春生万宁马卫东张燕峰熊聪冯士维
- 关键词：威布尔分布
- 一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法
- 本发明涉及一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法，属于加速实验领域。该方法以Arrhenius退化模型为研究基础，结合威布尔寿命分布模型，得到了不同应力水平下，加速寿命实验失效机理一致性与形状参数的关系，然后针...
- 郭春生万宁冯士维张燕峰朱慧
- 文献传递
- 一种快速评价半导体器件可靠性的方法
- 本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法，属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型，对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理，考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方...
- 郭春生张燕峰冯士维万宁李睿朱慧
- 文献传递
- 序进应力在线加速退化模型研究被引量：1
- 2011年
- 针对线下参数退化模型由于温度冲击而引入误差的问题,基于在线序进应力加速退化实验,建立了在线参数退化模型,提高了以参数变化为计算基础的参数退化模型的准确性.并以3CG120型高频晶体管为例,在150—230℃范围内进行了在线序进应力加速实验.利用建立的在线参数退化模型,得到3CG120型高频晶体管的寿命误差为6.5%,比线下参数退化模型的误差(23.2%)要小.
- 郭春生万宁马卫东熊聪张光沉冯士维
- 一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法
- 本发明涉及一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法，属于加速实验领域。该方法以Arrhenius退化模型为研究基础，结合威布尔寿命分布模型，得到了不同应力水平下，加速寿命实验失效机理一致性与形状参数的关系，然后针...
- 郭春生万宁冯士维张燕峰朱慧
- 一种多层导热材料热阻测量方法
- 一种多层导热材料热阻测量方法涉及测试领域，能够测量多层导热材料中每一层材料的热阻。测试系统中半导体器件起热源作用及测试作用；将半导体器件固定在多层导热材料上表面，多层导热材料下表面固定在恒温平台上；在任一时刻对半导体器件...
- 郭春生万宁冯士维张燕峰石磊史冬
- 文献传递
- 一种快速评价半导体器件可靠性的方法
- 本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法，属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型，对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理，考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方...
- 郭春生张燕峰冯士维万宁李睿朱慧
- 文献传递
- AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退化模型研究
- 随着我国通信系统可靠性和国防现代化的发展，对PHEMT器件及其电路需求日趋强烈。而PHEMT器件在应用中暴露的可靠性问题，特别是使用过程中电参数漂移，输出功率下降，栅击穿等问题已严重影响到器件的使用。在这些可靠性问题中，...
- 万宁
