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朱慧

作品数:53 被引量:21H指数:3
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金博士研究生创新基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 42篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 12篇结温
  • 10篇热阻
  • 9篇晶体管
  • 8篇电流
  • 8篇半导体
  • 6篇瞬态
  • 6篇半导体器件
  • 6篇存储器
  • 5篇导电
  • 5篇电学法
  • 5篇应力
  • 5篇激活能
  • 4篇导电机制
  • 4篇电阻
  • 4篇栅压
  • 4篇数学
  • 4篇瞬态电流
  • 4篇温升
  • 4篇芯片
  • 4篇封装

机构

  • 53篇北京工业大学
  • 2篇复旦大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子技术...

作者

  • 53篇朱慧
  • 44篇冯士维
  • 44篇郭春生
  • 14篇张亚民
  • 7篇汪鹏飞
  • 6篇孟晓
  • 5篇万宁
  • 5篇张燕峰
  • 5篇苏雅
  • 4篇马琳
  • 4篇李睿
  • 4篇王晨
  • 4篇金磊
  • 4篇李世伟
  • 4篇刘琨
  • 4篇高立
  • 4篇陈月圆
  • 4篇赵迪
  • 3篇邓兵
  • 2篇李锐

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇齐齐哈尔高等...

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
53 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法涉及半导体器件测试领域。包括如下步骤:将被测器件放置于一温度为T0恒温平台;被测器件的栅电极不进行任何外部连接;漏电极接电压源,电压源产生低电平V<Sub>L</Sub>,...
冯士维张亚民马琳郭春生朱慧
文献传递
基于多应力加速实验快速提取加速系数的方法
本发明公开了基于多应力加速实验快速提取加速系数的方法,本发明利用多应力水平加速芯片退化(包括温度应力、电应力、温度梯度、湿度应力但不仅限于此),但仅改变其中一个应力,用于该应力对应加速系数的快速提取;其它应力保持不变,仅...
郭春生杜昊婧冯士维朱慧张亚民
多路晶体管BE结结温测量装置
多路晶体管BE结结温测量装置,装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令,FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端,控制MOS组的沟道关断,同时,FPGA...
廖之恒郭春生吕贤亮高立李世伟冯士维朱慧
面向高校工科专业的双语教学研究与实践——以《电子材料与器件》课程为例
2023年
双语教学是我国高等教育改革的重点内容之一,是培养具有国际化视野高水平层次人才的重要途径,随着经济全球化的发展,双语教学的重要性日益彰显。本文以《电子材料与器件》双语课程为例,分析了高校工科专业双语教学中需要特别关注的几个关键内容,并结合自身多年双语教学经验与体会,提出了能够有效提高大学工科双语教学质量的关键方法。
朱慧郭春生张亚民周丽星刘博张蒙冯士维
关键词:双语教学教学质量
一种基于数学滤波算法的结温校准方法
一种基于数学滤波算法的结温校准方法属于电子器件测试领域,传统的半导体器件结温测量方法有电学法、红外法等。由于理论误差及测量过程中噪声的存在,以上方法均不能准确测量半导体器件结温。本发明将半导体器件视为一个具有单输入,双输...
郭春生苏雅廖之恒冯士维朱慧
一种测量界面接触热阻的方法
一种测量界面接触热阻的方法,属于电子器件的生产测量,以及研究、开发领域。一种测量界面接触热阻的方法,其特征在于,步骤如下:将被测电子元件与被测热阻材料按不同厚度制备成2个以上接触界面;测量电子元件管芯到被测界面的热阻R<...
冯士维石磊郭春生刘静朱慧
文献传递
一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法
本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法,首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I‑V曲线,判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来,所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后,在短...
朱慧金磊杨莹冯士维郭春生孟晓王晨
文献传递
PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能
2015年
为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持损失和印记特性的变化进行了研究。研究结果表明:在欧姆导电区域,PZT薄膜体电阻率随疲劳进程而减小,表明薄膜中氧空位体积分子数增大;在疲劳进程中,电滞回线向负电压方向偏移产生印记,同时保持损失随疲劳进程加剧,且正极化方向的保持能力相对更好;利用双势阱和氧八面体结构模型来解释实验现象,得到在疲劳进程中原胞内部的双势阱变浅、变窄导致极化下降,并且氧空位更易在氧八面体顶端形成而导致疲劳中产生印记和极化保持在正方向上更好的结果。
陈月圆朱慧张迎俏汪鹏飞冯士维郭春生
关键词:铁电薄膜漏电流印记
铁酸铋薄膜阻变效应和导电机制的研究
张迎俏朱慧汪鹏飞孟晓陈月圆
一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法
一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法,属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件,通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具,利用加热平台...
朱慧孟晓张迎俏冯士维郭春生汪鹏飞
文献传递
共6页<123456>
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