汪鹏飞
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台...
- 朱慧孟晓张迎俏冯士维郭春生汪鹏飞
- 文献传递
- 铁酸铋薄膜的阻变效应和导电机制被引量：3
- 2017年
- 针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流–电压(I–V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I–V曲线呈现出不同高低阻值的变化。通过对I–V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流。结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化。
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- 关键词：导电机制
- 存储器用铁酸铋薄膜的制备及性能研究
- 阻变存储器(RRAM)凭借其集成度高，写入擦除快，功耗低，和当今半导体工艺完全兼容等特点，成为最有希望替代Flash存储器的新一代非挥发性存储器。铁酸铋BiFeO3基阻变存储器具有性能稳定，读写操作电压低等特点，是非常有...
- 汪鹏飞
- 关键词：磁控溅射法
- PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能
- 2015年
- 为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持损失和印记特性的变化进行了研究。研究结果表明:在欧姆导电区域,PZT薄膜体电阻率随疲劳进程而减小,表明薄膜中氧空位体积分子数增大;在疲劳进程中,电滞回线向负电压方向偏移产生印记,同时保持损失随疲劳进程加剧,且正极化方向的保持能力相对更好;利用双势阱和氧八面体结构模型来解释实验现象,得到在疲劳进程中原胞内部的双势阱变浅、变窄导致极化下降,并且氧空位更易在氧八面体顶端形成而导致疲劳中产生印记和极化保持在正方向上更好的结果。
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- 关键词：铁电薄膜漏电流印记
- 铁酸铋薄膜阻变效应和导电机制的研究
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- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台...
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- 文献传递
- 利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜阻变存储器的方法
- 本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的...
- 朱慧汪鹏飞冯士维郭春生张亚民
- 文献传递
- 铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
- 2017年
- 为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
- 朱慧张迎俏汪鹏飞白子龙孟晓陈月圆祁琼
