何山虎
- 作品数：19 被引量：38H指数：4
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究
- 2000年
- 在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。
- 王印月甄聪棉刘雪芹闫志军龚恒翔杨映虎何山虎
- 关键词：欧姆接触金刚石薄膜接触电阻率溅射沉积
- 静电感应器件SIT(H)器件物理和关键技术的基础研究
- 孟雄晖姜岩峰李思渊何山虎刘瑞喜等
- 该成果以静电感应晶闸管(SITH)为主，对SID的结构、I-V特性、电参数等重要方面进行了全面的研究；给出了SITH的阻断态解析分析方法及结果；提出了对于静电感应器件的统一数值分析方法；进行了1500V/100A电力SI...
- 关键词：
- 关键词：静电感应器件
- MZOS结构的电学性质及退火效应
- 1997年
- 本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．
- 亢效虎何山虎桑保生
- 关键词：氧化锌半导体薄膜技术
- 铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻被引量：4
- 2004年
- 用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n^-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用AFM分析表明:当V_α(?)3kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随V_α增加,粗糙度减小。用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当V_α(?)3kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当V_α(?)5kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压V_α的增加而减小。
- 李公平何山虎丁宝卫张小东丁印锋包良满刘正民朱德彰
- 关键词：单晶硅薄膜形貌
- 传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率被引量：5
- 2000年
- 采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况下的I V特性 ,研究了退火对 ρc 的影响 .结果表明 ,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段 .ρc 随测试温度的变化表明金属 /半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透 .而光照对 ρc 影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料 .测试得到的最低 ρc 值约为 10 -4 Ωcm2 .
- 王印月甄聪棉龚恒翔阎志军王亚凡刘雪芹杨映虎何山虎
- 关键词：金刚石薄膜欧姆接触接触电阻率传输线模型
- 一种静电感应器件及其制造方法
- 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法。本发明的器件是在基片的高阻区内所形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层，在栅条间的沟道区之上形成源区，且所述的源区被位于栅条上的绝缘层隔开。本发明的方法是在单晶基片上以外延方法形成高阻层，...
- 李思渊何山虎李寿嵩唐金科张秀文张旗刘肃毕祥林卢小莹田仁杰
- 文献传递
- 标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望被引量：2
- 2003年
- 从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
- 崔增文何山虎陈弘达毛陆虹高建玉
- 关键词：数模混合电路CMOS工艺多项目晶圆
- 复合结构的晶体管制造方法及晶体管
- 本发明涉及一种固体器件,特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管,以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现:首先在衬底材料表面形成绝缘层,然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口,用扩散...
- 李思渊杨建红何山虎刘肃刘瑞喜桑保生毕祥林卓肇龙马淑萍卢小莹马中华杨利成任立
- 文献传递
- 用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程被引量：5
- 2005年
- 室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜。用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式。Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长。溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大。当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小。
- 包良满曹博李公平何山虎
- 关键词：AFM形貌
- Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应被引量：1
- 2006年
- 室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜。采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu.SiO2.Si(100)体系的扩散和界面反应。RBS分析得出:对于Cu.SiO2.Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成。这比已有文献报道的温度低。
- 曹博包良满李公平何山虎
- 关键词：扩散硅化物
